Diodo Schottky da série SOD-123FL 2A

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Diodo Schottky da série SOD-123FL 2A

Nome do pacote: SOD-123fl
Terminais: soldável por mil-std
Certificação: ROHS
Embalagem: no carretel
Metal Silicon Junction, condução da portadora majoritária
Para aplicações montadas na superfície

Disponibilidade:

Quantidade:



Pergunte Adicione à cesta

Baixa perda de energia, alta eficiência

Alta capacidade de corrente para a frente

Para uso em inversores de baixa tensão, alta frequência, rodas livres e aplicações de proteção de polaridade mecânicas

※ Isenção de responsabilidade

Os usuários devem verificar o desempenho real do dispositivo em seus aplicativos específicos.

As especificações estão sujeitas a alterações sem aviso prévio.

As características e parâmetros do dispositivo nesta folha de dados podem e variam em diferentes aplicativos e o desempenho real do dispositivo pode variar com o tempo.

Tags quentes: DS22-DS220 SOD123fl Schottky Retificadores, China, Fabricantes, Fábrica, Price, Retificadores de barreira schottky, Diodos de barreira schottky, Diodo SMC Schottky, 277 Diodo Schottky, Diodo de barreira schottky, Retificador Schottky

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Solução

Sistema automotivo

Instrumentação Industrial

Interface USB

Parâmetro	Símbolos	DS22	DS24	DS26	DS28	DS210	DS212	DS215	DS220	Unidades
Tensão reversa máxima de pico repetitivo	Vrrm	20	40	60	80	100	120	150	200	V
Tensão RMS máxima	Vrms	14	28	42	56	70	84	105	140	V
Tensão máxima de bloqueio de DC	VDC	20	40	60	80	100	120	150	200	V
Corrente retificada para a frente média máxima	Se (av)	2								UM
Corrente de pico para a frente, 8,3ms de meia onda senoidal sobreposta na carga nominal (método JEDEC)	Ifsm	50								UM
Tensão direta instantânea máxima em 1 a	Vf	0.55		0.70		0.85		0.90		V
Corrente reversa máxima dc ta = 25 ℃ na tensão reversa de CC nominal ta = 100 ℃	lr	0.5 5			0.3 3					MA
Capacitância típica da junção¹	CJ	220		80						pf
Resistência térmica típica²	Rbja	85								℃/w
Faixa de temperatura de junção operacional	TJ	-55 ～+125								℃
Faixa de temperatura de armazenamento	Tstg	-55 ～+150								℃

Parâmetro	Símbolos	DS22	DS24	DS26	DS28	DS210	DS212	DS215	DS220	Unidades
Tensão reversa máxima de pico repetitivo	Vrrm	20	40	60	80	100	120	150	200	V
Tensão RMS máxima	Vrms	14	28	42	56	70	84	105	140	V
Tensão máxima de bloqueio de DC	VDC	20	40	60	80	100	120	150	200	V
Corrente retificada para a frente média máxima	Se (av)	2								UM
Corrente de pico para a frente, 8,3ms de meia onda senoidal sobreposta na carga nominal (método JEDEC)	Ifsm	50								UM
Tensão direta instantânea máxima em 1 a	Vf	0.55		0.70		0.85		0.90		V
Corrente reversa máxima dc ta = 25 ℃ na tensão reversa de CC nominal ta = 100 ℃	lr	0.5 5			0.3 3					MA
Capacitância típica da junção¹	CJ	220		80						pf
Resistência térmica típica²	Rbja	85								℃/w
Faixa de temperatura de junção operacional	TJ	-55 ～+125								℃
Faixa de temperatura de armazenamento	Tstg	-55 ～+150								℃

Nome	Vrrm v	Vrrs v	VDC v	Se (av) a	Ifsm a	Vf * v	IR (MA) 25 ℃	IR (MA) 100 ℃	Rθjl* ℃/w	TJ ℃	Tstg ℃
DS22	20	14	20	2	50	0.55	0.5	5	220	85	-55 ℃ ~ ﹢ 125 ℃
DS24	40	28	40	2	50	0.55	0.5	5	220	85	-55 ℃ ~ ﹢ 125 ℃
DS26	60	42	60	2	50	0.7	0.5	5	80	85	-55 ℃ ~ ﹢ 125 ℃
DS28	80	56	80	2	50	0.7	0.3	3	80	85	-55 ℃ ~ ﹢ 125 ℃
DS210	100	70	100	2	50	0.85	0.3	3	80	85	-55 ℃ ~ ﹢ 125 ℃
DS212	120	84	120	2	50	0.85	0.3	3	80	85	-55 ℃ ~ ﹢ 125 ℃
DS215	150	105	150	2	50	0.95	0.3	3	80	85	-55 ℃ ~ ﹢ 125 ℃
DS220	200	140	200	2	50	0.95	0.3	3	80	85	-55 ℃ ~ ﹢ 125 ℃

Nome	Vrrm v	Vrrs v	VDC v	Se (av) a	Ifsm a	Vf * v	IR (MA) 25 ℃	IR (MA) 100 ℃	Rθjl* ℃/w	TJ ℃	Tstg ℃
DS22	20	14	20	2	50	0.55	0.5	5	220	85	-55 ℃ ~ ﹢ 125 ℃
DS24	40	28	40	2	50	0.55	0.5	5	220	85	-55 ℃ ~ ﹢ 125 ℃
DS26	60	42	60	2	50	0.7	0.5	5	80	85	-55 ℃ ~ ﹢ 125 ℃
DS28	80	56	80	2	50	0.7	0.3	3	80	85	-55 ℃ ~ ﹢ 125 ℃
DS210	100	70	100	2	50	0.85	0.3	3	80	85	-55 ℃ ~ ﹢ 125 ℃
DS212	120	84	120	2	50	0.85	0.3	3	80	85	-55 ℃ ~ ﹢ 125 ℃
DS215	150	105	150	2	50	0.95	0.3	3	80	85	-55 ℃ ~ ﹢ 125 ℃
DS220	200	140	200	2	50	0.95	0.3	3	80	85	-55 ℃ ~ ﹢ 125 ℃

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