PDFN5060-8L MOSFET

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PDFN5060-8L MOSFET

MOSFET PDFN5060-8L 封裝是一種非常小的表面貼裝封裝，具有八個引腳。其特點包括體積小、安裝方便、適合高密度電路板設計。PDFN5060-8L 封裝通常具有較低的導通電阻和開關時間，使其適合高頻應用。此外，PDFN5060-8L封裝還具有良好的熱特性和高可靠性，使其適用於各種低功耗和便攜式電子設備。其體積小、性能優良，使其成為現代電子設備中最常用的封裝形式之一。

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HLT30N06PF5 採用先進的溝槽技術和設計，可提供出色的 RDS(ON) 和低閘極電荷。

特徵

VDS=60V，ID=30A
RDS(ON) <18mΩ @ VGS=10V
極低的導通電阻 RDS (ON)
極充×RDS(ON)品(FOM)

應用

直流/直流轉換器
電池管理
同步整流
高頻開關

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工業儀器儀表

USB介面

象徵	尺寸（毫米）
象徵	最小值	NOM。	最大限度。
A	0.80	0.90	1.00
A1	0.00	0.03	0.05
乙	0.35	0.42	0.49
C	0.254REF
D	4.90	5.00	5.10
F	1.40參考值
乙	5.70	5.80	5.90
e	1.27平衡計分卡
H	5.95	6.08	6.20
L1	0.10	0.14	0.18
G	0.60參考值
K	4.00參考值
L	-	-	0.15
J	0.95BSC
磷	1.00參考值
E1	3.40參考
θ	6°	10°	14°
右	0.25REF

象徵	尺寸（毫米）
象徵	最小值	NOM。	最大限度。
A	0.80	0.90	1.00
A1	0.00	0.03	0.05
乙	0.35	0.42	0.49
C	0.254REF
D	4.90	5.00	5.10
F	1.40參考值
乙	5.70	5.80	5.90
e	1.27平衡計分卡
H	5.95	6.08	6.20
L1	0.10	0.14	0.18
G	0.60參考值
K	4.00參考值
L	-	-	0.15
J	0.95BSC
磷	1.00參考值
E1	3.40參考
θ	6°	10°	14°
右	0.25REF

電壓	零件名稱	V(BR)DSS	ID	配置	RDS(on)型	RDS(on)型	V ( Gs ) th-min	V ( Gs ) th-max
電壓	零件名稱	（五）	（A）	配置	(mQ)10V	(mQ)4.5V	（五）	（五）
-40	HLT25P04	-40	-25	單身的	27	40	-1	-2.5
-40	HLT55P04	-40	-55	單身的	10	15	-1	-2.5
-40	HLT90P04	-40	-90	單身的	7.5	11.5	-1	-2.5
-30	HLT30P03PF5	-30	-30	單身的	13	19	-1	-2.5
-30	HLT40P03PF5	-30	-40	單身的	9	14	-1	-2.5
-30	HLT50P03PF5	-30	-50	單身的	6	9	-1	-2.5
-30	HLT60P03PF5	-30	-60	單身的	5	7.5	-1	-2.5
30	HLT150N03PF5	30	150	單身的	2	3.6	1	2.5
30	HLT180N03PF5	30	180	單身的	1.6	3	1	2.5
30	HLT200N03PF5	30	200	單身的	1.1	2	1	2.5
40	HLT120N04	40	120	單身的	2.9	4	1	2.5
40	HLT150N04	40	150	單身的	2.5	3.5	1	2.5
40	HLT180N04	40	180	單身的	2	3	1	2.5
60	HLT30N06PF5	60	30	單身的	12	16	1	2.5

電壓	零件名稱	V(BR)DSS	ID	配置	RDS(on)型	RDS(on)型	V ( Gs ) th-min	V ( Gs ) th-max
電壓	零件名稱	（五）	（A）	配置	(mQ)10V	(mQ)4.5V	（五）	（五）
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30	HLT150N03PF5	30	150	單身的	2	3.6	1	2.5
30	HLT180N03PF5	30	180	單身的	1.6	3	1	2.5
30	HLT200N03PF5	30	200	單身的	1.1	2	1	2.5
40	HLT120N04	40	120	單身的	2.9	4	1	2.5
40	HLT150N04	40	150	單身的	2.5	3.5	1	2.5
40	HLT180N04	40	180	單身的	2	3	1	2.5
60	HLT30N06PF5	60	30	單身的	12	16	1	2.5

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