SMC 3A Series Schottky Diode

شارك إلى:

SMC 3A Series Schottky Diode

سمات

※ تنصل

يجب على المستخدمين التحقق من أداء الجهاز الفعلي في تطبيقاتهم المحددة.

تخضع المواصفات للتغيير دون إشعار.

يمكن أن تختلف خصائص الجهاز والمعلمات في ورقة البيانات هذه وتختلف في تطبيقات مختلفة وقد تختلف أداء الجهاز الفعلي بمرور الوقت.

سابق:

روابط سريعة

نظام السيارات

الأجهزة الصناعية

واجهة USB

اشترك في النشرة الإخبارية لدينا

F4 ، #9 Tus-Caohejing Sceience Park ،
No.199 Guangulin E Road ، Shanghai 201613

الهاتف: +86-18721669954
الفاكس: +86-21-67689607
البريد الإلكتروني: global@yint.com. CN

أغراض	رمز	SK32	SK33	SK34	SK35	SK36	SK38	SK310	SK315	SK320	وحدة
أقصى جهد الذروة المتكررة عكسي	V _RRM	20	30	40	50	60	80	100	150	200	الخامس
الحد الأقصى لجهد RMS	V _RMS	14	21	28	35	42	56	70	105	140	الخامس
الحد الأقصى لعقد العاصمة الجهد	الخامس _{العاصمة}	20	30	40	50	60	80	100	150	200	الخامس
الحد الأقصى المتوسط الحالي للأمام	أنا _{F (AV)}	3.0									أ
ذروة الأمام ارتفاع التيار 8.3ms نصف الجيب من الموجة المتراكمة على الحمل المقنن	أنا _FSM	100									أ
معدل التغير الجهد (تصنيف VR)	DV/DT	10000									v/μs
المقاومة الحرارية من تقاطع إلى الرصاص ⁽¹⁾	R _θjl	20									درجة مئوية/ث
نطاق تقاطع ودرجة حرارة التخزين	T _J， T _STG	-65 إلى +150									درجة مئوية

أغراض	رمز	SK32	SK33	SK34	SK35	SK36	SK38	SK310	SK315	SK320	وحدة
أقصى جهد الذروة المتكررة عكسي	V _RRM	20	30	40	50	60	80	100	150	200	الخامس
الحد الأقصى لجهد RMS	V _RMS	14	21	28	35	42	56	70	105	140	الخامس
الحد الأقصى لعقد العاصمة الجهد	الخامس _{العاصمة}	20	30	40	50	60	80	100	150	200	الخامس
الحد الأقصى المتوسط الحالي للأمام	أنا _{F (AV)}	3.0									أ
ذروة الأمام ارتفاع التيار 8.3ms نصف الجيب من الموجة المتراكمة على الحمل المقنن	أنا _FSM	100									أ
معدل التغير الجهد (تصنيف VR)	DV/DT	10000									v/μs
المقاومة الحرارية من تقاطع إلى الرصاص ⁽¹⁾	R _θjl	20									درجة مئوية/ث
نطاق تقاطع ودرجة حرارة التخزين	T _J， T _STG	-65 إلى +150									درجة مئوية