yint Electronic لعرضه في Electronica 2025 معرض في الصين ، شنغهاي
من الذكاء الاصطناعي والأتمتة إلى السيارات الكهربائية والطاقة الذكية: كل عامين ، تتوحد صناعة الإلكترونيات في معرض التجارة الإلكتروني في ميونيخ ، وتتعاون لتشكيل مجتمع كامل الكهربائي (AES). يقدم هذا المعرض الأول منصة مثالية للتواصل بين المستخدمين والباحثين والمصنعين من الصناعات والقطاعات الاكتفاء الذاتي سابقًا ، وعرض مجموعة واسعة من التقنيات والمنتجات والحلول.
في هذا الحدث ، يجتمع أكثر من 2800 عارض وحوالي 70،000 زائر من جميع أنحاء العالم للعمل من أجل مستقبل مستدام وقابل للعيش ، مما يجسد روح المجتمع الكهربائي. مع انتقال العالم نحو كهربة ، يعمل معرض Electronica التجاري كمكان حاسم للابتكار والشبكات وتبادل الأفكار ، مما يؤدي إلى التقدم في التقدم اللازم لنظام بيئي أكثر خضرة وأكثر كفاءة.
yint electronic المقرر حضور Electronica 2025 في شنغهاي من 15 إلى 17 أبريل. كشك رقم N1.740.
معلومات المعرض
التاريخ: 15-17 أبريل ، 2025
المكان: S Hanghai ، الصين
كشك: N1.740
الوقت: الثلاثاء. 15 أبريل - 09:00 - 18:00
تزوج. 16 أبريل - 09:00 - 18:00 ثور. 17 أبريل - 09:00 - 18:00
نعتقد أن هذه فرصة رائعة لك لمعرفة كيف يمكن أن تحسن منتجاتنا الكفاءة والأداء في مجموعة متنوعة من التطبيقات ، من إلكترونيات السيارات إلى الأتمتة الصناعية. نتطلع بشغف إلى عرض منتجاتنا في هذا المعرض وإقامة تعاون وثيق معك.
حول حل yint
نحن نركز على توفير مكونات إلكترونية عالية الجودة لدعم التطبيقات المختلفة
مقوم الحاجز Schottky هو جهاز أشباه الموصلات المعدنية ملفقة من خلال استخدام خاصية تصحيح من حاجز يتكون على سطح تلامس أشباه الموصلات المعدنية. هذا الجهاز مناسب للأنظمة المدمجة والصغيرة الحجم. نموذجي لمحولات AC-DC و DC-DC ، وحماية بطارية الاستقطاب ، والجهد المتعدد 'oring' وأنظمة الحجم الصغير الأخرى.
الحزمة الصغيرة: تعتمد حزمة SOP-8L بحجم صغير وهي مناسبة لدمج أجهزة متعددة في مساحة محدودة.
تقنية التثبيت السطحية: تعتمد حزمة SOP-8L تقنية تصاعد السطح ، مما يسهل الإنتاج التلقائي واللحام ويحسن كفاءة الإنتاج.
مقاومة منخفضة: تتميز حزمة MOSFET SOP-8L بمقاومة منخفضة ، مما يوفر أداء كهربائيًا فعالًا.
استهلاك الطاقة المنخفضة: عادةً ما يكون لأجهزة MOSFET المعبأة SOP-8L خصائص استهلاك الطاقة المنخفضة وهي مناسبة للتطبيقات التي تتطلب توفير الطاقة.
أداء تبديد الحرارة الجيد: عادة ما يتم تصميم حزم SOP-8L مع بنية تبديد حرارة جيدة ، والتي يمكن أن تبدد الحرارة الناتجة عن الجهاز بشكل فعال وتحسين موثوقية الجهاز واستقراره.
يتوفر MOSFET PDFN3333-8L في حزمة PDFN-8 ولديه تصميم 8 أسنان. يساعد هيكل التغليف هذا على توفير أداء أفضل للتبديد للحرارة وهو مناسب لتصميمات ثنائي الفينيل متعدد الكلور عالية الكثافة. بالإضافة إلى ذلك ، تتميز حزمة PDFN3333-8L أيضًا بمقاومة منخفضة وفقدان التبديل المنخفض وخصائص التردد العالي ، مما يجعلها مناسبة لتضخيم الطاقة وتطبيقات التبديل.
تتمتع الحزمة إلى 3p بأداء تبديد حراري جيد وقدرة حمل عالية التيار ، وهي مناسبة لتصميم دائرة كثافة الطاقة العالية. توفر هذه الحزمة أيضًا استقرارًا وموثوقية جيدة ، مما يجعلها مناسبة للتطبيقات التي تتطلب كثافة طاقة عالية وموثوقية. يجعل بنية دبوس الحزمة إلى 3p أيضًا تثبيتها على لوحة الدوائر سهلة نسبيًا.
