エレクトロニカ・チャイナ2025
 
4月15〜17日
 
上海ニューインターナショナルエキスポセンター
Yint Electronic To Electronica 2025展で中国で開催される上海
人工知能や自動化から電気自動車、スマートエネルギーまで：2年ごとに、エレクトロニクス業界はミュンヘンのエレクトロニカ見本市で団結し、全電気社会（AES）を形作るために協力しています。このプレミア展は、以前は自給自足の業界やセクターのユーザー、研究者、メーカー間のコミュニケーションに最適なプラットフォームを提供し、幅広いテクノロジー、製品、ソリューションを紹介しています。

このイベントでは、世界中の2,800人以上の出展者と約70,000人の訪問者が集まり、持続可能で住みやすい未来に向けて取り組み、全電気社会の精神を体現しています。世界が電化に移行するにつれて、エレクトロニカの見本市は、イノベーション、ネットワーキング、アイデアの交換のための重要な場所として機能し、より環境に優しい、より効率的なエコシステムに必要な進歩を推進しています。
4月15〜17日に上海のエレクトロニカ2025に出席する予定のYINT電子 。ブースNo.N1.740.

展示情報
 
  • 日付： 2025年4月15〜17日
  • 会場：中国、S園
  • ブース： N1.740
  • 時間： 火。 4月15日 - 09：00-18：00
                水4月16日 - 09：00-18：00
                Thur。 4月17日 - 09：00-18：00
 
これは、自動車用電子機器から産業自動化まで、さまざまなアプリケーションで当社の製品がどのように効率とパフォーマンスを向上させることができるかを学ぶための絶好の機会であると考えています。
この展示会で製品を展示し、あなたとの緊密なコラボレーションを確立することを熱心に楽しみにしています。
 
エレクトロニカ中国のロードマップ
yintソリューションについて
さまざまなアプリケーションをサポートするための高品質の電子コンポーネントの提供に焦点を当てています
  • 自動化
  • 産業と計装
  • 家電
  • 照明とエネルギー
  • セキュリティと情報
  • ネットワーキングとコミュニケーション
関連製品
  • 新製品
    • TVS SMB15J40CA/a
      TVS SMB15J40CA/a
      • ロープロファイルパッケージ
      • 自動配置に最適です
      • ガラスのパッシブチップジャンクション
      • 優れたクランプ機能
      • 非常に速い応答時間
      • 低増強サージ抵抗
      • IEC 61000-4-2 ESD 30 kV（空気）、30 kV（連絡先）
      • J-STD-020あたりのMSLレベル1、LF最大ピーク260°Cを満たしています
      • ケース：DO-214AA（SMB）
      • 600 Wピークパルスパワー機能A10/1000 US波形、反復率（デューティサイクル）：0.01％
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    • SMC P2600G3K
      SMC P2600G3K
      • 一時的なサージを吸収する優れた能力。
      • サージ電圧（NSレベル）への迅速な応答。
      • コンポーネントプロパティは、その制限内で複数のサージイベントの後に劣化しません
      • 評価を超えて急増すると、短絡に障害が発生します
      • IEC61000-4-2（ESD）±30kV（AIR）、±30kV（連絡先）。
      • 非変性。
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    • SOT-23 nresdlc24vapbeth
      SOT-23 nresdlc24vapbeth
      • SOT-23パッケージ
      • 高トリガー電圧≥100V
      • 低漏れ電流
      • 低静電容量：CD <2 pf
      • 応答時間は通常<1nsです
      • 次の基準に準拠しています：
      - IEC 61000-4-2（ESD）免疫試験
      空気放電：±30kV
      接触排出：±30kV
      - IEC61000-4-5（稲妻）2A（8/20μs）
      • AEC-Q101資格
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    • DFN1006-2 NRESDLLC24VD8B
      DFN1006-2 NRESDLLC24VD8B
      • ウルトラスモールパッケージ：1.0x0.6x0.5mm
      • 超低漏れ：NAレベル
      • 低動作電圧：5V
      • 低クランプ電圧
      • 次の基準に準拠しています：
      - IEC 61000-4-2（ESD）免疫試験
      空気放電：±10kV
      接触排出：±10kV
      - IEC61000-4-5（稲妻）1A（8/20μs）
      • ROHS準拠
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    • テレビダイオード
      • 15kpシリーズ15000W軸方向のリードTVSダイオード
        15kpシリーズ15000W軸方向のリードTVSダイオード
        • パッケージ名：P600
        • P600ガラスのパッシブチップジャンクション
        • 極性：双方向を除いて、ポジティブエンド（カソード）を示します。
        • 一般的な障害モードは、過剰に指定された電圧または電流から短いです
        • 高速応答時間：通常、0ボルトからBV minまで1.0ps未満。
        • 高温はんだ付け：ターミナルで260°C/10秒。
        • はんだディップ275°Cマックス。 10 s、JESD 22-B106あたり
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      • 5kpシリーズ5000W TVSダイオード
        5kpシリーズ5000W TVSダイオード
        • パッケージ名：P600
        • P600ガラスのパッシブチップジャンクション
        • 極性：双方向を除いて、ポジティブエンド（カソード）を示します。
        • 一般的な障害モードは、過剰に指定された電圧または電流から短いです
        • 高速応答時間：通常、0ボルトからBV minまで1.0ps未満。 
        • 高温はんだ付け：ターミナルで260°C/10秒。 
        • はんだディップ275°Cマックス。 10 s、JESD 22-B106あたり
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      • 3KPシリーズ3000W TVSダイオード
        3KPシリーズ3000W TVSダイオード
        • パッケージ名：P600
        • P600ガラスのパッシブチップジャンクション
        • 極性：双方向を除いて、ポジティブエンド（カソード）を示します。
        • 一般的な障害モードは、過剰に指定された電圧または電流から短いです
        • 高速応答時間：通常、0ボルトからBV minまで1.0ps未満。
        • 高温はんだ付け：ターミナルで260°C/10秒。
        • はんだディップ275°Cマックス。 10 s、JESD 22-B106あたり
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      • 1.5KEシリーズ1500W過渡電圧サプレッサー
        1.5KEシリーズ1500W過渡電圧サプレッサー
        • パッケージ名：DO-2011
        • P600ガラスのパッシブチップジャンクション
        • 極性：双方向を除いて、ポジティブエンド（カソード）を示します。
        • 一般的な障害モードは、過剰に指定された電圧または電流から短いです
        • 高速応答時間：通常、0ボルトからBV minまで1.0ps未満。
        • 高温はんだ付け：ターミナルで260°C/10秒。 
        • はんだディップ275°Cマックス。 10 s、JESD 22-B106あたり
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      • ESD保護ダイオード
        • SOT-143 ESD保護ダイオード
          SOT-143 ESD保護ダイオード
          • パッケージング：リール
          • ケース：JEDEC SOT-143パッケージ
          • 低クランプ電圧
          • 小さなパッケージングオプションはボードスペースを節約します
          • 低静電容量：4 pf典型
          • 2行の保護
           
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        • SOT-363 ESDダイオード
          SOT-363 ESDダイオード
          • 認定：ROHS
          • パッケージ名：SOT363
          • 速い応答時間
          • 小さなパッケージサイズ
          • 低クランプ電圧
          • IEC 61000-4-2（ESD）と互換性があります：Air 15kv、8kvに連絡します
          • IEC 61000-4-4（EFT）と互換性があります：40a、5/50 ns
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        • SOT-353 ESDサプレッサー
          SOT-353 ESDサプレッサー
          • 認定：ROHS
          • パッケージ名：SOT353
          • 速い応答時間
          • 小さなパッケージサイズ
          • 低クランプ電圧
          • IEC 61000-4-2（ESD）と互換性があります：Air 15kv、8kvに連絡します
          • IEC 61000-4-4（EFT）と互換性があります：40a、5/50 ns
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        • SOT-553 ESD保護デバイス
          SOT-553 ESD保護デバイス
          • 速い応答時間
          • 小さなパッケージサイズ
          • 低クランプ電圧
          • IEC 61000-4-2（ESD）と互換性があります：Air 15kv、8kvに連絡します
          • IEC 61000-4-4（EFT）と互換性があります：40a、5/50 ns
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        • Schottky Diodes
          • SMA 3AシリーズSchottky Diode
            SMA 3AシリーズSchottky Diode
            Schottky Barrier Rectifierは、金属半導体接触面に形成された障壁の整流特性を利用することにより製造された金属半導体デバイスです。このデバイスは、コンパクトおよびスモールサイズのシステムに適しています。 AC-DCおよびDC-DCコンバーター、バッテリー極性保護、複数の電圧「Oring」、およびその他の小型システムに典型的です。
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          • SOD-123FL 1AシリーズSchottky Diode
            SOD-123FL 1AシリーズSchottky Diode
            • パッケージ名：SOD-123FL
            • 金属シリコンジャンクション、多数派のキャリア伝導 
            • 表面マウントされたアプリケーション用 
            • 低電力損失、高効率 
            • 高い前方サージ電流能力 
            • 低電圧、高周波インバーター、フリーホイーリング、極性保護アプリケーションで使用するために
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          • SOD-123FL 2AシリーズSchottky Diode
            SOD-123FL 2AシリーズSchottky Diode
            • パッケージ名：SOD-123FL 
            • 端子：MIL-STDあたりはんだ付け可能
            • 認定：ROHS
            • パッケージ：リール
            • 金属シリコンジャンクション、多数派のキャリア伝導
            • 表面マウントされたアプリケーション用
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          • SOD-123FL 3AシリーズSchottky Diode
            SOD-123FL 3AシリーズSchottky Diode
            • パッケージ名：SOD-123FL 
            • 端子：MIL-STDあたりはんだ付け可能
            • パッケージ：リール
            • 金属シリコンジャンクション、多数派のキャリア伝導
            • 表面マウントされたアプリケーション用
            • 低電力損失、高効率
            • 高い前方サージ電流能力
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          • モスフェット
            • TO-220 MOSFET
              TO-220 MOSFET
              • 低ゲートチャージ
              • 非常に低いCRSS
              • 高速スイッチング機能
              • 100％単一パルス雪崩エネルギーテスト
              • DV/DT機能の改善
              • ROHS製品
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            • SOP-8L MOSFET
              SOP-8L MOSFET
              • 小さなパッケージ：SOP-8Lパッケージは小さなサイズを採用しており、限られたスペースに複数のデバイスを統合するのに適しています。
              • 表面マウントテクノロジー：SOP-8Lパッケージは、自動化された生産と溶接を促進し、生産効率を向上させる表面マウントテクノロジーを採用しています。
              • 低抵抗：MOSFET SOP-8Lパッケージは、低抵抗を備えており、効率的な電気性能を提供します。
              • 低消費電力：SOP-8LパッケージMOSFETデバイスは通常、低消費電力特性を持ち、省エネを必要とするアプリケーションに適しています。
              • 良好な熱散逸性能：SOP-8Lパッケージは通常、優れた熱散逸構造で設計されており、デバイスによって生成された熱を効果的に放散し、デバイスの信頼性と安定性を改善できます。
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            • PDFN3333-8L MOSFET
              PDFN3333-8L MOSFET
              MOSFET PDFN3333-8LはPDFN-8パッケージで利用でき、8ピンデザインがあります。このパッケージ構造は、熱散逸性能を向上させるのに役立ち、高密度のPCB設計に適しています。さらに、PDFN33333-8Lパッケージは、低抵抗、低スイッチング損失、高周波特性も備えており、電力増幅およびスイッチングアプリケーションに適しています。
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            • TO-3P MOSFET
              TO-3P MOSFET
              TO-3Pパッケージは、優れた熱散逸性能と高電流の容量があり、高出力密度回路設計に適しています。また、このパッケージは優れた熱安定性と信頼性を提供し、高出力密度と信頼性を必要とするアプリケーションに適しています。 To-3Pパッケージのピン構造は、回路基板への設置も比較的簡単にします。
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