SOP-8L MOSFET
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SOP-8L MOSFET

  • 小さなパッケージ：SOP-8Lパッケージは小さなサイズを採用しており、限られたスペースに複数のデバイスを統合するのに適しています。
  • 表面マウントテクノロジー：SOP-8Lパッケージは、自動化された生産と溶接を促進し、生産効率を向上させる表面マウントテクノロジーを採用しています。
  • 低抵抗：MOSFET SOP-8Lパッケージは、低抵抗を備えており、効率的な電気性能を提供します。
  • 低消費電力：SOP-8LパッケージMOSFETデバイスは通常、低消費電力特性を持ち、省エネを必要とするアプリケーションに適しています。
  • 良好な熱散逸性能：SOP-8Lパッケージは通常、優れた熱散逸構造で設計されており、デバイスによって生成された熱を効果的に放散し、デバイスの信頼性と安定性を改善できます。
可用性：
量：
お問い合わせください バスケットに追加します

SOP-8L

シンボル
 ミリメートルの寸法
分 nom。 マックス。

a

 -
 - 1.75
A1
 0.10 - 0.23
b 0.35 - 0.48
c 0.19 - 0.25
d 4.70 4.90 5.10
e 5.80 6.00 6.20
E1 3.70 3.90 4.10
e
 1.27bsc
l 0.50
 - 0.80
° 0° - 8°


電圧  部品名 V（BR）DSS id 構成 RDS（ON）-Typ RDS（ON）-Typ V （ gs ） th-min V （ gs ） th-max
（v） （a） （MQ）10V （MQ）4.5V （v） （v）
-60 HLP2P06C -60 -2 シングル 0.1 0.13 -2 -4
-40 HLT7P04C -40 -7 シングル 40 55 -1 -2.5
-40 HLT9P04C -40 -9 シングル 36 47 -1 -2.5
-30 HLG9435C -30 -5 シングル 30 46 -1 -2.5
-30 HLG4449C -30 -7 シングル 25 37 -1 -2.5
-30 HLT8P03C -30 -8 シングル 19 27 -1 -2.5
-30 HLT9P03C -30 -9 シングル 15 20 -1 -2.5
-30 HLG4435C -30 -10 シングル 13 18 -1 -2.5
-30 HLT10P03C -30 -10 シングル 13 18 -1 -2.5
-30 HLG4407C -30 -12 シングル 9.5 14 -1 -2.5
-30 HLT12P03C -30 -12 シングル 9.5 14 -1 -2.5
-30 HLT15P03C -30 -15 シングル 8.5 11.5 -1 -2.5
-30 HLT18P03C -30 -18 シングル 5 6.2 -1 -2.5
-20 HLT13P02C -20 -13 シングル - 13 -0.4 -1
20 HLT10N02 20 10 シングル - 11 0.45 1
30 HLT9N03C 30 9 シングル 13 21 1 2.5
30 HLT12N03C 30 12 シングル 7 11 1 2.5
30 HLT15N03C 30 15 シングル 4.8 6.6 1 2.5
40 HLT7N04C 40 7 シングル 30 40 1 2.5
40 HLT9N04C 40 9 シングル 18 25 1 2.5
40 HLT10N04C 40 10 シングル 15 20 1 2.5
40 HLT11N04C 40 11 シングル 12 15 1 2.5
40 HLT12N04C 40 12 シングル 7.5 11 1 2.5
100 HLT20N10 100 20 シングル 14 17 1 2.5
150 HLT2N15 150 2 シングル 260 320 1 2.5
150 HLT5N15 150 5 シングル 30 40 1 2.5
200 HLT4N20 200 4 シングル 60 - 2 4


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