SOP-8L 场效应管
SOP-8L 场效应管
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  • 小封装:SOP-8L封装采用小尺寸,适合在有限的空间内集成多个器件。
  • 表面贴装技术:SOP-8L封装采用表面贴装技术,有利于自动化生产和焊接,提高生产效率。
  • 低电阻:MOSFET SOP-8L 封装具有低电阻,可提供高效的电气性能。
  • 低功耗:SOP-8L封装的MOSFET器件通常具有低功耗特性,适合需要节能的应用。
  • 良好的散热性能:SOP-8L封装通常设计有良好的散热结构,可以有效散发器件产生的热量,提高器件的可靠性和稳定性。
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SOP-8L

象征
尺寸(毫米)
很小值NOM。更大限度。

一个

--
--1.75
A1
0.10--0.23
0.35--0.48
c0.19--0.25
D4.704.905.10
5.806.006.20
E13.703.904.10
e
1.27平衡计分卡
L0.50
--0.80
一个°--


电压 零件名称V(BR)DSSID配置RDS(on)型RDS(on)型V ( Gs ) th-minV ( Gs ) th-max
(五)(一个)(mQ)10V(mQ)4.5V(五)(五)
-60HLP2P06C-60-2单身的0.10.13-2-4
-40HLT7P04C-40-7单身的4055-1-2.5
-40HLT9P04C-40-9单身的3647-1-2.5
-30HLG9435C-30-5单身的3046-1-2.5
-30HLG4449C-30-7单身的2537-1-2.5
-30HLT8P03C-30-8单身的1927-1-2.5
-30HLT9P03C-30-9单身的1520-1-2.5
-30HLG4435C-30-10单身的1318-1-2.5
-30HLT10P03C-30-10单身的1318-1-2.5
-30HLG4407C-30-12单身的9.514-1-2.5
-30HLT12P03C-30-12单身的9.514-1-2.5
-30HLT15P03C-30-15单身的8.511.5-1-2.5
-30HLT18P03C-30-18单身的56.2-1-2.5
-20HLT13P02C-20-13单身的-13-0.4-1
20HLT10N022010单身的-110.451
30HLT9N03C309单身的132112.5
30HLT12N03C3012单身的71112.5
30HLT15N03C3015单身的4.86.612.5
40HLT7N04C407单身的304012.5
40HLT9N04C409单身的182512.5
40HLT10N04C4010单身的152012.5
40HLT11N04C4011单身的121512.5
40HLT12N04C4012单身的7.51112.5
100HLT20N1010020单身的141712.5
150HLT2N151502单身的26032012.5
150HLT5N151505单身的304012.5
200HLT4N202004单身的60-24


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