SOP-8L 場效應管
SOP-8L 場效應管
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  • 小型封裝:SOP-8L封裝採用小尺寸,適合在有限的空間內集成多個器件。
  • 表面貼裝技術:SOP-8L封裝採用表面貼裝技術,有利於自動化生產和焊接,提高生產效率。
  • 低電阻:MOSFET SOP-8L 封裝具有低電阻,可提供高效的電氣性能。
  • 低功耗:SOP-8L封裝的MOSFET器件通常具有低功耗特性,適合需要節能的應用。
  • 良好的散熱性能:SOP-8L封裝通常設計有良好的散熱結構,可以有效散發器件產生的熱量,提高器件的可靠性和穩定性。
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SOP-8L

象徵
尺寸(毫米)
很小值NOM。更大限度。

一個

--
--1.75
A1
0.10--0.23
0.35--0.48
c0.19--0.25
D4.704.905.10
5.806.006.20
E13.703.904.10
e
1.27平衡計分卡
L0.50
--0.80
一個°--


電壓 零件名稱V(BR)DSSID配置RDS(on)型RDS(on)型V ( Gs ) th-minV ( Gs ) th-max
(五)(一個)(mQ)10V(mQ)4.5V(五)(五)
-60HLP2P06C-60-2單身的0.10.13-2-4
-40HLT7P04C-40-7單身的4055-1-2.5
-40HLT9P04C-40-9單身的3647-1-2.5
-30HLG9435C-30-5單身的3046-1-2.5
-30HLG4449C-30-7單身的2537-1-2.5
-30HLT8P03C-30-8單身的1927-1-2.5
-30HLT9P03C-30-9單身的1520-1-2.5
-30HLG4435C-30-10單身的1318-1-2.5
-30HLT10P03C-30-10單身的1318-1-2.5
-30HLG4407C-30-12單身的9.514-1-2.5
-30HLT12P03C-30-12單身的9.514-1-2.5
-30HLT15P03C-30-15單身的8.511.5-1-2.5
-30HLT18P03C-30-18單身的56.2-1-2.5
-20HLT13P02C-20-13單身的-13-0.4-1
20HLT10N022010單身的-110.451
30HLT9N03C309單身的132112.5
30HLT12N03C3012單身的71112.5
30HLT15N03C3015單身的4.86.612.5
40HLT7N04C407單身的304012.5
40HLT9N04C409單身的182512.5
40HLT10N04C4010單身的152012.5
40HLT11N04C4011單身的121512.5
40HLT12N04C4012單身的7.51112.5
100HLT20N1010020單身的141712.5
150HLT2N151502單身的26032012.5
150HLT5N151505單身的304012.5
200HLT4N202004單身的60-24


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