 |
| 量： | |
|---|---|
DO-214AA
1
200W-600W
9.2-290V
特徴：
SIC MOのゲートレベルの保護のための非対称TVSダイオード。
A1からA2への電圧は5Vで、A2からA1への電圧は15Vです。 SIC MOSデバイスのゲートレベルには負の電圧耐性が低いため、従来の保護回路には異なる電圧を持つ2つのTVSが必要ですが、当社が発売したSMBJ1505CAには1つだけが必要です。
最大評価（℃ ） 特に明記しない限り） （TA = 25
| パラメーター | シンボル | 価値 | ユニット |
| 最小ピークパルスパワー散逸（T = 1ミリ秒） | P pk | 600 | ワッツ |
| 動作温度範囲 | T j | -55〜 +150 | ℃ |
| ストレージ温度範囲 | t stg | -55〜 +150 | ℃ |
特徴：
SIC MOのゲートレベルの保護のための非対称TVSダイオード。
A1からA2への電圧は5Vで、A2からA1への電圧は15Vです。 SIC MOSデバイスのゲートレベルには負の電圧耐性が低いため、従来の保護回路には異なる電圧を持つ2つのTVSが必要ですが、当社が発売したSMBJ1505CAには1つだけが必要です。
最大評価（℃ ） 特に明記しない限り） （TA = 25
| パラメーター | シンボル | 価値 | ユニット |
| 最小ピークパルスパワー散逸（T = 1ミリ秒） | P pk | 600 | ワッツ |
| 動作温度範囲 | T j | -55〜 +150 | ℃ |
| ストレージ温度範囲 | t stg | -55〜 +150 | ℃ |
