 |
| Quantità: | |
|---|---|
Do-214aa
1
200w-600w
9.2-290V
Caratteristica:
Diodo TVS asimmetrico per protezione a livello di gate di SIC MOS.
La tensione da A1 a A2 è 5V e la tensione da A2 a A1 è 15 V. Poiché il livello di gate del dispositivo MOS SIC ha una bassa tolleranza a tensione negativa, il circuito di protezione convenzionale richiede due TVS con tensioni diverse, ma l'SMBJ1505CA lanciato dalla nostra azienda ne richiede solo uno.
Valutazioni massime (TA = 25 ℃ se non diversamente indicato)
| Parametro | Simbolo | Valore | Unità |
| Dissipazione minima di potenza dell'impulso di picco (t = 1 ms) | P pk | 600 | Watt |
| Intervallo di temperatura operativo | T j | Da -55 a +150 | ℃ |
| Intervallo di temperatura di conservazione | T stg | Da -55 a +150 | ℃ |
Caratteristica:
Diodo TVS asimmetrico per protezione a livello di gate di SIC MOS.
La tensione da A1 a A2 è 5V e la tensione da A2 a A1 è 15 V. Poiché il livello di gate del dispositivo MOS SIC ha una bassa tolleranza a tensione negativa, il circuito di protezione convenzionale richiede due TVS con tensioni diverse, ma l'SMBJ1505CA lanciato dalla nostra azienda ne richiede solo uno.
Valutazioni massime (TA = 25 ℃ se non diversamente indicato)
| Parametro | Simbolo | Valore | Unità |
| Dissipazione minima di potenza dell'impulso di picco (t = 1 ms) | P pk | 600 | Watt |
| Intervallo di temperatura operativo | T j | Da -55 a +150 | ℃ |
| Intervallo di temperatura di conservazione | T stg | Da -55 a +150 | ℃ |
