 |
| Dami: | |
|---|---|
Do-214aa
1
200W-600W
9.2-290V
Tampok ：
Asymmetric TVs diode para sa proteksyon ng antas ng gate ng sic mos.
Ang boltahe mula A1 hanggang A2 ay 5V, at ang boltahe mula A2 hanggang A1 ay 15V. Dahil ang antas ng gate ng aparato ng SIC MOS ay may mababang negatibong pagpapaubaya ng boltahe, ang maginoo na circuit circuit ay nangangailangan ng dalawang TVS na may iba't ibang mga boltahe, ngunit ang SMBJ1505CA na inilunsad ng aming kumpanya ay nangangailangan lamang ng isa.
Pinakamataas na mga rating (TA = 25 ℃ maliban kung nabanggit)
| Parameter | Simbolo | Halaga | Unit |
| Minimum na peak pulse power dissipation (t = 1 ms) | P pk | 600 | Watts |
| Saklaw ng temperatura ng operating | T j | -55 hanggang +150 | ℃ |
| Saklaw ng temperatura ng imbakan | T stg | -55 hanggang +150 | ℃ |
Tampok ：
Asymmetric TVs diode para sa proteksyon ng antas ng gate ng sic mos.
Ang boltahe mula A1 hanggang A2 ay 5V, at ang boltahe mula A2 hanggang A1 ay 15V. Dahil ang antas ng gate ng aparato ng SIC MOS ay may mababang negatibong pagpapaubaya ng boltahe, ang maginoo na circuit circuit ay nangangailangan ng dalawang TVS na may iba't ibang mga boltahe, ngunit ang SMBJ1505CA na inilunsad ng aming kumpanya ay nangangailangan lamang ng isa.
Pinakamataas na mga rating (TA = 25 ℃ maliban kung nabanggit)
| Parameter | Simbolo | Halaga | Unit |
| Minimum na peak pulse power dissipation (t = 1 ms) | P pk | 600 | Watts |
| Saklaw ng temperatura ng operating | T j | -55 hanggang +150 | ℃ |
| Saklaw ng temperatura ng imbakan | T stg | -55 hanggang +150 | ℃ |
