 |
| Cantidad: | |
|---|---|
DO-214AA
1
200W-600W
9.2-290V
Característica:
Diodo de TVS asimétrico para la protección a nivel de puerta de SIC MOS.
El voltaje de A1 a A2 es de 5V, y el voltaje de A2 a A1 es de 15V. Dado que el nivel de puerta del dispositivo SIC MOS tiene una baja tolerancia a voltaje negativo, el circuito de protección convencional requiere dos TVS con diferentes voltajes, pero el SMBJ1505CA lanzado por nuestra compañía solo requiere uno.
Calificaciones máximas (ta = 25 ℃ a menos que se indique lo contrario)
| Parámetro | Símbolo | Valor | Unidad |
| Disipación mínima de potencia de pulso pico (t = 1 ms) | PK | 600 | Vatios |
| Rango de temperatura de funcionamiento | T J | -55 a +150 | ℃ |
| Rango de temperatura de almacenamiento | T stg | -55 a +150 | ℃ |
Característica:
Diodo de TVS asimétrico para la protección a nivel de puerta de SIC MOS.
El voltaje de A1 a A2 es de 5V, y el voltaje de A2 a A1 es de 15V. Dado que el nivel de puerta del dispositivo SIC MOS tiene una baja tolerancia a voltaje negativo, el circuito de protección convencional requiere dos TVS con diferentes voltajes, pero el SMBJ1505CA lanzado por nuestra compañía solo requiere uno.
Calificaciones máximas (ta = 25 ℃ a menos que se indique lo contrario)
| Parámetro | Símbolo | Valor | Unidad |
| Disipación mínima de potencia de pulso pico (t = 1 ms) | PK | 600 | Vatios |
| Rango de temperatura de funcionamiento | T J | -55 a +150 | ℃ |
| Rango de temperatura de almacenamiento | T stg | -55 a +150 | ℃ |
