 |
| Määrä: | |
|---|---|
DO-214AA
1
200W-600W
9.2-290V
Ominaisuus:
Epäsymmetrinen TVS-diodi sic MOS: n porttitason suojaamiseksi.
Jännite A1: stä A2: een on 5 V, ja jännite A2: sta A1: een on 15 V. Koska SiC MOS -laitteen porttitasolla on alhainen negatiivinen jännitteentoleranssi, tavanomainen suojauspiiri vaatii kaksi televisiota, joilla on eri jännite, mutta yrityksemme käynnistämä SMBJ1505CA vaatii vain yhden.
Enimmäisluokitukset (TA = 25 ℃ , ellei toisin mainita)
| Parametri | Symboli | Arvo | Yksikkö |
| Piikkipulssin vähimmäissuorituksen hajoaminen (t = 1 ms) | Pk | 600 | Wattia |
| Käyttölämpötila -alue | T J | -55 -+150 | ℃ |
| Säilytyslämpötila -alue | Stg | -55 -+150 | ℃ |
Ominaisuus:
Epäsymmetrinen TVS-diodi sic MOS: n porttitason suojaamiseksi.
Jännite A1: stä A2: een on 5 V, ja jännite A2: sta A1: een on 15 V. Koska SiC MOS -laitteen porttitasolla on alhainen negatiivinen jännitteentoleranssi, tavanomainen suojauspiiri vaatii kaksi televisiota, joilla on eri jännite, mutta yrityksemme käynnistämä SMBJ1505CA vaatii vain yhden.
Enimmäisluokitukset (TA = 25 ℃ , ellei toisin mainita)
| Parametri | Symboli | Arvo | Yksikkö |
| Piikkipulssin vähimmäissuorituksen hajoaminen (t = 1 ms) | Pk | 600 | Wattia |
| Käyttölämpötila -alue | T J | -55 -+150 | ℃ |
| Säilytyslämpötila -alue | Stg | -55 -+150 | ℃ |
