MOSFETS (metallioksidi-puolijohde-kenttätransistorit) ovat välttämättömiä komponentteja nykyaikaisessa elektroniikassa, jota käytetään signaalien kytkemiseen ja vahvistamiseen. Ne voidaan luokitella useisiin luokkiin: parannusmoodin MOSFET (N-kanava ja P-kanava), jotka vaativat portin jännitettä; Ehtymistilan MOSFETS, jotka voivat toimia nollaportin jännitteellä; Power MOSFETS, suunniteltu suuritehoisiin sovelluksiin; RF-MOSFETS, optimoitu korkeataajuisiin sovelluksiin; Superjunction MOSFETS, joka tunnetaan korkean jännitteisen sovelluksen korkeasta hyötysuhteesta; ja kaivannon mosfetit, joissa on kaivannon rakenne vastustuskyvyn ja portin varauksen vähentämiseksi. Jokainen tyyppi on valittu tiettyjen sovellusvaatimusten, kuten jännitteen, virran ja kytkentänopeuden perusteella.