Electrónica China 2025
 
15-17 de abril
 
Shanghai New International Expo Center
Yint Electronic to Showcase en la exposición Electrónica 2025 en China, Shanghai
Desde inteligencia artificial y automatización hasta vehículos eléctricos y energía inteligente: cada dos años, la industria de la electrónica se une en la feria de electricidad en Munich, colaborando para dar forma a una sociedad totalmente eléctrica (AES). Esta principal exposición ofrece una plataforma perfecta para la comunicación entre usuarios, investigadores y fabricantes de industrias y sectores previamente autosuficientes, mostrando una amplia gama de tecnologías, productos y soluciones.

En este evento, más de 2,800 expositores y aproximadamente 70,000 visitantes de todo el mundo se unen para trabajar hacia un futuro sostenible y habitable, que encarna el espíritu de la sociedad totalmente eléctrica. A medida que el mundo pasa hacia la electrificación, la feria de comercio electrónico sirve como un lugar crítico para la innovación, las redes y el intercambio de ideas, impulsando los avances necesarios para un ecosistema más verde y eficiente.
Yint Electronic programado para asistir a ElectronicA 2025 en Shanghai del 15 al 17 de abril. Stand No. n1.740.

Información de la exhibición
 
  • Fecha: 15-17 de abril de 2025
  • Lugar: S Hanghai, China
  • Booth: N1.740
  • Tiempo: martes. 15 de abril - 09:00 - 18:00
                Casarse. 16 de abril - 09:00 - 18:00
                Thur. 17 de abril - 09:00 - 18:00
 
Creemos que esta es una gran oportunidad para aprender cómo nuestros productos pueden mejorar la eficiencia y el rendimiento en una variedad de aplicaciones, desde la electrónica automotriz hasta la automatización industrial.
Esperamos ansiosamente exhibir nuestros productos en esta exposición y establecer colaboraciones estrechas con usted.
 
Sobre la solución Yint
Nos centramos en proporcionar componentes electrónicos de alta calidad para admitir varias aplicaciones
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      • Excelente capacidad de sujeción
      • Tiempo de respuesta muy rápido
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      • IEC 61000-4-2 ESD 30 kV (aire), 30 kV (contacto)
      • Cumple con MSL Nivel 1, según J-STD-020, LF Pico máximo de 260 ° C
      • Caso: DO-214AA (SMB)
      • Capacidad de potencia de pulso máximo de 600 W con forma de onda A10/1000 de EE. UU., Tasa repetitiva (ciclo de trabajo): 0.01 %
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    • SMC P2600G3K
      • Excelente capacidad de absorber la oleada transitoria.
      • Respuesta rápida al voltaje de sobretensión (nivel NS).
      • Las propiedades de los componentes no se degradan después de múltiples eventos de sobretensión dentro de sus límites
      • Falla cortocircuito cuando aumenta las calificaciones
      • IEC61000-4-2 (ESD) ± 30kV (aire), ± 30kV (contacto).
      • No degenerativo.
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    • Sot-23 nresdlc24vapbeth
      • Paquete SOT-23
      • Voltaje de gatillo alto ≥ 100 V
      • Baja corriente de fuga
      • Baja capacitancia: CD <2 pf
      • El tiempo de respuesta es típicamente <1NS
      • Cumple con los siguientes estándares:
      -IEC 61000-4-2 (ESD) Prueba de inmunidad
      Descarga del aire: ± 30kV
      Descarga de contacto: ± 30kV
      -IEC61000-4-5 (Lightning) 2A (8/20 μs)
      • AEC-Q101 calificado
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    • DFN1006-2 NRESDLLC24VD8B
      • Paquete Ultra Small: 1.0x0.6x0.5 mm
      • Fugas ultra baja: nivel de NA
      • Voltaje de funcionamiento bajo: 5V
      • Bajo voltaje de sujeción
      • Cumple con los siguientes estándares:
      -IEC 61000-4-2 (ESD) Prueba de inmunidad
      Descarga del aire: ± 10kV
      Descarga de contacto: ± 10kV
      -IEC61000-4-5 (Lightning) 1A (8/20 μs)
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        • Nombre del paquete: P600
        • Junction de chips pasivado de vidrio P600
        • Polaridad: la banda de color denotó un extremo positivo (cátodo) excepto bidireccional.
        • El modo de falla típico es corto por voltaje o corriente sobre especificados
        • Tiempo de respuesta rápida: típicamente menos de 1.0ps de 0 voltios a BV min.
        • Soldadura a alta temperatura: 260 ° C/10 segundos en terminales.
        • Soldadora DIP 275 ° C Máx. 10 s, por jesd 22-b106
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        • Polaridad: la banda de color denotó un extremo positivo (cátodo) excepto bidireccional.
        • El modo de falla típico es corto por voltaje o corriente sobre especificados
        • Tiempo de respuesta rápida: típicamente menos de 1.0ps de 0 voltios a BV min. 
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        • Tiempo de respuesta rápida: típicamente menos de 1.0ps de 0 voltios a BV min.
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        • Polaridad: la banda de color denotó un extremo positivo (cátodo) excepto bidireccional.
        • El modo de falla típico es corto por voltaje o corriente sobre especificados
        • Tiempo de respuesta rápida: típicamente menos de 1.0ps de 0 voltios a BV min.
        • Soldadura a alta temperatura: 260 ° C/10 segundos en terminales. 
        • Soldadora DIP 275 ° C Máx. 10 s, por jesd 22-b106
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          • Embalaje: en carrete
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          • Opciones de embalaje pequeñas ahorra espacio en la mesa
          • Baja capacitancia: 4 pf típico
          • Protección para 2 líneas
           
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          • Certificación: ROHS
          • Nombre del paquete: SOT363
          • Tiempo de respuesta rápido
          • Tamaño de paquete pequeño
          • Bajo voltaje de sujeción
          • Compatible con IEC 61000-4-2 (ESD): aire 15kV, contacto 8KV
          • Compatible con IEC 61000-4-4 (EFT): 40a, 5/50 ns
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        • SOT-353 Supresores de ESD
          • Certificación: ROHS
          • Nombre del paquete: SOT353
          • Tiempo de respuesta rápido
          • Tamaño de paquete pequeño
          • Bajo voltaje de sujeción
          • Compatible con IEC 61000-4-2 (ESD): aire 15kV, contacto 8KV
          • Compatible con IEC 61000-4-4 (EFT): 40a, 5/50 ns
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        • Dispositivo de protección ESD SOT-553
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          • Compatible con IEC 61000-4-2 (ESD): aire 15kV, contacto 8KV
          • Compatible con IEC 61000-4-4 (EFT): 40a, 5/50 ns
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        • Diodos Schottky
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            • Para aplicaciones montadas en superficie 
            • Baja pérdida de energía, alta eficiencia 
            • Capacidad de corriente de sobretensión alta hacia adelante 
            • Para su uso en aplicaciones de bajo voltaje, inversores de alta frecuencia, ruedas libres y protección de polaridad
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          • SOD-123FL 2A Serie Schottky Diodo
            • Nombre del paquete: SOD-123FL 
            • Terminales: SOLEBLADO POR MIL-STD
            • Certificación: ROHS
            • Embalaje: en carrete
            • Junction de silicio de metal, conducción de transporte mayoritario
            • Para aplicaciones montadas en superficie
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          • SOD-123FL 3A Serie Schottky Diodo
            • Nombre del paquete: SOD-123FL 
            • Terminales: SOLEBLADO POR MIL-STD
            • Embalaje: en carrete
            • Junction de silicio de metal, conducción de transporte mayoritario
            • Para aplicaciones montadas en superficie
            • Baja pérdida de energía, alta eficiencia
            • Capacidad de corriente de sobretensión alta hacia adelante
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          • Mosfets
            • A 220 MOSFET
              • Carga de puerta baja
              • CRSS muy bajo
              • Capacidad de conmutación rápida
              • Prueba de energía de avalancha de pulso de un solo pulso 100%
              • Capacidad de DV/DT mejorada
              • Producto ROHS
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            • SOP-8L MOSFET
              • Paquete pequeño: el paquete SOP-8L adopta un tamaño pequeño y es adecuado para integrar múltiples dispositivos en un espacio limitado.
              • Tecnología de montaje de superficie: el paquete SOP-8L adopta la tecnología de montaje en superficie, que facilita la producción y soldadura automatizadas y mejora la eficiencia de producción.
              • Baja resistencia: el paquete MOSFET SOP-8L presenta baja resistencia, proporcionando un rendimiento eléctrico eficiente.
              • Bajo consumo de energía: los dispositivos MOSFET empaquetados SOP-8L generalmente tienen características de bajo consumo de energía y son adecuadas para aplicaciones que requieren ahorro de energía.
              • Buen rendimiento de disipación de calor: los paquetes SOP-8L generalmente están diseñados con una buena estructura de disipación de calor, que puede disipar efectivamente el calor generado por el dispositivo y mejorar la confiabilidad y estabilidad del dispositivo.
              Ver más>
            • PDFN3333-8L MOSFET
              MOSFET PDFN3333-8L está disponible en el paquete PDFN-8 y tiene un diseño de 8 pines. Esta estructura de envasado ayuda a proporcionar un mejor rendimiento de disipación de calor y es adecuado para diseños de PCB de alta densidad. Además, el paquete PDFN3333-8L también presenta una baja resistencia, baja pérdida de conmutación y características de alta frecuencia, lo que lo hace adecuado para la amplificación de potencia y las aplicaciones de conmutación.
              Ver más>
            • MOSFET a 3P
              El paquete TO-3P tiene un buen rendimiento de disipación de calor y alta capacidad de carga de corriente, y es adecuado para un diseño de circuito de alta densidad de potencia. Este paquete también ofrece una buena estabilidad y confiabilidad térmica, lo que lo hace adecuado para aplicaciones que requieren una alta densidad y confiabilidad de la potencia. La estructura PIN del paquete TO-3P también hace que su instalación en la placa de circuito sea relativamente fácil.
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