PDFN3333-8L MOSFET

MOSFET PDFN3333-8L está disponible en el paquete PDFN-8 y tiene un diseño de 8 pines. Esta estructura de envasado ayuda a proporcionar un mejor rendimiento de disipación de calor y es adecuado para diseños de PCB de alta densidad. Además, el paquete PDFN3333-8L también presenta una baja resistencia, baja pérdida de conmutación y características de alta frecuencia, lo que lo hace adecuado para la amplificación de potencia y las aplicaciones de conmutación.

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PDFN3333-8L

Símbolo	Dimensiones en milímetros
Símbolo	Mínimo	Nom.	Max.
A	0.700	0.800	0.900
A1	0.152 Ref.
A2	0 ~ 0.05
D	3.000	3.100	3.200
D1	0.935	1.035	1.135
D2	0.280	0.380	0.480
mi	2.900	3.000	3.100
E1	3.150	3.300	3.450
E2	1.535	1.735	1.935
b	0.200	0.300	0.400
mi	0.550	0.650	0.750
L	0.300	0.400	0.500
L1	0.180	0.330	0.480
L2	0 ~ 0.100
L3	0 ~ 0.100
H	0.315	0.415	0.515
θ	8 °	10 °	12 °

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Interfaz USB

Voltaje	Nombre de parte	V (Br) DSS	Identificación	Configuración	Rds (on) -typ	Rds (on) -typ	V (GS) TH-MIN	V (GS) Th-Max
Voltaje	Nombre de parte	(V)	(A)	Configuración	(MQ) 10V	(MQ) 4.5V	(V)	(V)
-40	HLT15P04C	-40	-15	Soltero	40	55	-1	-2.5
-40	HLT20P04C	-40	-20	Soltero	36	47	-1	-2.5
-30	Hlt30p03pf4	-30	-30	Soltero	16	22	-1	-2.5
-30	HLT40P03PF4	-30	-40	Soltero	9.5	15.5	-1	-2.5
-30	HLT50P03PF4	-30	-50	Soltero	5	6.9	-1	-2.5
20	HLT90N02PF4	20	60	Soltero	-	2.8	0.45	1
40	HLT50N04	40	50	Soltero	7.5	11	1	2.5
40	HLT60N04	40	60	Soltero	6	9	1	2.5
100	HLT17N10	100	17	Soltero	55	65	1	2.5

Voltaje	Nombre de parte	V (Br) DSS	Identificación	Configuración	Rds (on) -typ	Rds (on) -typ	V (GS) TH-MIN	V (GS) Th-Max
Voltaje	Nombre de parte	(V)	(A)	Configuración	(MQ) 10V	(MQ) 4.5V	(V)	(V)
-40	HLT15P04C	-40	-15	Soltero	40	55	-1	-2.5
-40	HLT20P04C	-40	-20	Soltero	36	47	-1	-2.5
-30	Hlt30p03pf4	-30	-30	Soltero	16	22	-1	-2.5
-30	HLT40P03PF4	-30	-40	Soltero	9.5	15.5	-1	-2.5
-30	HLT50P03PF4	-30	-50	Soltero	5	6.9	-1	-2.5
20	HLT90N02PF4	20	60	Soltero	-	2.8	0.45	1
40	HLT50N04	40	50	Soltero	7.5	11	1	2.5
40	HLT60N04	40	60	Soltero	6	9	1	2.5
100	HLT17N10	100	17	Soltero	55	65	1	2.5

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