PDFN3333-8L MOSFET

MOSFET PDFN3333-8L ist im PDFN-8-Paket erhältlich und verfügt über ein 8-poliges Design. Diese Verpackungsstruktur bietet eine bessere Leistung von Wärmeableitungen und eignet sich für PCB-Designs mit hoher Dichte. Darüber hinaus verfügt das PDFN3333-8L-Paket auch mit niedrigem Widerstand, niedrigem Schaltverlust und hohen Frequenzeigenschaften, wodurch es für die Leistungsverstärkung und die Schaltanwendungen geeignet ist.

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PDFN3333-8L

Symbol	Dimensionen in Millimetern
Symbol	Min.	Nom.	Max.
A	0.700	0.800	0.900
A1	0,152 Ref.
A2	0 ~ 0,05
D	3.000	3.100	3.200
D1	0.935	1.035	1.135
D2	0.280	0.380	0.480
E	2.900	3.000	3.100
E1	3.150	3.300	3.450
E2	1.535	1.735	1.935
B	0.200	0.300	0.400
e	0.550	0.650	0.750
L	0.300	0.400	0.500
L1	0.180	0.330	0.480
L2	0 ~ 0,100
L3	0 ~ 0,100
H	0.315	0.415	0.515
θ	8 °	10 °	12 °

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USB -Schnittstelle

Stromspannung	Teilname	V (Br) DSS	Ausweis	Konfiguration	Rds (on) -Typ	Rds (on) -Typ	V (gs) th-min	V (gs) th-max
Stromspannung	Teilname	(V)	(A)	Konfiguration	(MQ) 10V	(MQ) 4,5 V	(V)	(V)
-40	HLT15P04C	-40	-15	Einzel	40	55	-1	-2.5
-40	HLT20P04C	-40	-20	Einzel	36	47	-1	-2.5
-30	HLT30P03PF4	-30	-30	Einzel	16	22	-1	-2.5
-30	HLT40P03PF4	-30	-40	Einzel	9.5	15.5	-1	-2.5
-30	HLT50P03PF4	-30	-50	Einzel	5	6.9	-1	-2.5
20	HLT90N02PF4	20	60	Einzel	-	2.8	0.45	1
40	HLT50N04	40	50	Einzel	7.5	11	1	2.5
40	HLT60N04	40	60	Einzel	6	9	1	2.5
100	HLT17N10	100	17	Einzel	55	65	1	2.5

Stromspannung	Teilname	V (Br) DSS	Ausweis	Konfiguration	Rds (on) -Typ	Rds (on) -Typ	V (gs) th-min	V (gs) th-max
Stromspannung	Teilname	(V)	(A)	Konfiguration	(MQ) 10V	(MQ) 4,5 V	(V)	(V)
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-40	HLT20P04C	-40	-20	Einzel	36	47	-1	-2.5
-30	HLT30P03PF4	-30	-30	Einzel	16	22	-1	-2.5
-30	HLT40P03PF4	-30	-40	Einzel	9.5	15.5	-1	-2.5
-30	HLT50P03PF4	-30	-50	Einzel	5	6.9	-1	-2.5
20	HLT90N02PF4	20	60	Einzel	-	2.8	0.45	1
40	HLT50N04	40	50	Einzel	7.5	11	1	2.5
40	HLT60N04	40	60	Einzel	6	9	1	2.5
100	HLT17N10	100	17	Einzel	55	65	1	2.5

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