PDFN3333-8L MOSFET
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PDFN3333-8L MOSFET

MOSFET PDFN3333-8L은 PDFN-8 패키지로 제공되며 8 핀 디자인이 있습니다. 이 포장 구조는 더 나은 열산 성능을 제공하고 고밀도 PCB 설계에 적합합니다. 또한 PDFN3333-8L 패키지는 저항력이 낮고 스위칭 손실이 낮고 고주파 특성이있어 전력 증폭 및 스위칭 응용 분야에 적합합니다.
가용성 :
수량 :
묻다 바스켓에 추가하십시오

PDFN3333-8L

상징
 밀리미터의 치수
최소 명령 맥스.

에이

 0.700 0.800 0.900
A1
 0.152 Ref.
A2 0 ~ 0.05
디 3.000 3.100 3.200
D1 0.935 1.035 1.135
D2 0.280 0.380 0.480
이자형 2.900 3.000 3.100
E1 3.150
 3.300 3.450
E2 1.535 1.735 1.935

비

 0.200 0.300 0.400
이자형 0.550 0.650 0.750
엘 0.300 0.400 0.500
L1 0.180 0.330 0.480
L2 0 ~ 0.100
L3 0 ~ 0.100
시간 0.315 0.415 0.515
θ
 8 ° 10 ° 12 °


전압  부품 이름 v (br) dss ID 구성 RDS (on)-타입 RDS (on)-타입 v (gs) th-min V (GS) TH-MAX
(다섯) (에이) (MQ) 10V (MQ) 4.5V (다섯) (다섯)
-40 HLT15P04C -40 -15 하나의 40 55 -1 -2.5
-40 HLT20P04C -40 -20 하나의 36 47 -1 -2.5
-30 HLT30P03PF4 -30 -30 하나의 16 22 -1 -2.5
-30 HLT40P03PF4 -30 -40 하나의 9.5 15.5 -1 -2.5
-30 HLT50P03PF4 -30 -50 하나의 5 6.9 -1 -2.5
20 HLT90N02PF4 20 60 하나의 - 2.8 0.45 1
40 HLT50N04 40 50 하나의 7.5 11 1 2.5
40 HLT60N04 40 60 하나의 6 9 1 2.5
100 HLT17N10 100 17 하나의 55 65 1 2.5


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