PDFN3333-8L MOSFET
PDFN3333-8L MOSFET
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MOSFET PDFN3333-8L 采用 PDFN-8 封装，并采用 8 引脚设计。这种封装结构有助于提供更好的散热性能，适合高密度PCB设计。此外，PDFN3333-8L封装还具有低电阻、低开关损耗和高频特性，使其适合功率放大和开关应用。
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PDFN3333-8L

象征
尺寸（毫米）
很小值NOM。更大限度。

一个

0.7000.8000.900
A1
0.152 参考值
A20~0.05
D3.0003.1003.200
D10.9351.0351.135
D20.2800.3800.480
乙2.9003.0003.100
E13.150
3.3003.450
E21.5351.7351.935

乙

0.2000.3000.400
e0.5500.6500.750
L0.3000.4000.500
L10.1800.3300.480
L20~0.100
L30~0.100
H0.3150.4150.515
θ
8°10°12°


电压 零件名称V(BR)DSSID配置RDS(on)型RDS(on)型V(Gs)th-minV(Gs)th-更大
（五）（一个）(mQ)10V(mQ)4.5V（五）（五）
-40HLT15P04C-40-15单身的4055-1-2.5
-40HLT20P04C-40-20单身的3647-1-2.5
-30HLT30P03PF4-30-30单身的1622-1-2.5
-30HLT40P03PF4-30-40单身的9.515.5-1-2.5
-30HLT50P03PF4-30-50单身的56.9-1-2.5
20HLT90N02PF42060单身的-2.80.451
40HLT50N044050单身的7.51112.5
40HLT60N044060单身的6912.5
100HLT17N1010017单身的556512.5


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