Electronica China 2025
 
4 월 15-17 일
 
상하이 새로운 국제 엑스포 센터
일렉트로닉스 전자 전자 전자 전자 전자 2025 년 중국에서 열린 전시회, 상하이
인공 지능 및 자동화에서 전기 자동차 및 스마트 에너지에 이르기까지 : 전자 산업은 2 년마다 뮌헨의 전자 무역 박람회에 연합하여 전기 사회 (AES)를 형성하기 위해 협력합니다. 이 프리미어 전시회는 이전의 자급 자족 산업 및 부문의 사용자, 연구원 및 제조업체 간의 커뮤니케이션 플랫폼을 제공하여 광범위한 기술, 제품 및 솔루션을 선보입니다.

이 행사에서 전세계 2,800 명 이상의 전시 업체와 약 70,000 명의 방문객이 함께 모여 지속 가능하고 살기 좋은 미래를 향해 노력하여 전기 사회의 정신을 구현합니다. 세계가 전기 화로 전환함에 따라 Electronica Trade Fair는 혁신, 네트워킹 및 아이디어 교환을위한 중요한 장소가되어 더 친환경적이고 효율적인 생태계에 필요한 발전을 추진합니다.
Yint Electronic은 4 월 15 일부터 17 일까지 상하이에있는 Electronica 2025에 참석할 예정입니다 . 부스 No.N1.740.

전시 정보
 
  • 날짜 : 2025 년 4 월 15-17 일
  • 장소 : S Hanghai, 중국
  • 부스 : N1.740
  • 시간 : Tue. 4 월 15 일 - 09:00-18:00
                수 4 월 16 일 - 09:00-18:00
                Thur. 4 월 17 일 - 09:00-18:00
 
우리는 이것이 자동차 전자 제품에서 산업 자동화에 이르기까지 다양한 응용 분야에서 제품이 어떻게 효율성과 성능을 향상시킬 수 있는지 배울 수있는 좋은 기회라고 생각합니다.
우리는이 전시회에서 제품을 전시하고 귀하와 긴밀한 협력을 확립하기를 간절히 기대합니다.
 
Yint 솔루션에 대해
우리는 다양한 응용 프로그램을 지원하기 위해 고품질 전자 부품을 제공하는 데 중점을 둡니다.
관련 제품
  • 신제품
    • TVS SMB15J40CA/A.
      • 로우 프로파일 패키지
      • 자동 배치에 이상적입니다
      • 유리 통과 칩 접합
      • 우수한 클램핑 기능
      • 매우 빠른 응답 시간
      • 낮은 증분 서지 저항
      • IEC 61000-4-2 ESD 30 kV (공기), 30kV (연락처)
      • J-STD-020, LF 최대 피크 260 ° C에 따라 MSL 레벨 1을 충족합니다.
      • 사례 : DO-214AA (SMB)
      • 600 W 피크 펄스 전력 기능 A10/1000 미국 파형, 반복 속도 (듀티 사이클) : 0.01 %
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    • SMC P2600G3K
      • 일시적인 서지를 흡수하는 탁월한 능력.
      • 서지 전압 (NS 레벨)에 대한 빠른 응답.
      • 구성 요소 속성은 한계 내에서 여러 서지 이벤트 후에 저하되지 않습니다.
      • 등급을 초과하면 단락이 실패합니다
      • IEC61000-4-2 (ESD) ± 30kV (공기), ± 30kV (연락처).
      • 비 퇴행성.
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    • SOT-23 NRESDLC24VAPBETH
      • SOT-23 패키지
      • 높은 트리거 전압 ≥ 100 v
      • 낮은 누출 전류
      • 낮은 커패시턴스 : CD <2 pf
      • 응답 시간은 일반적으로 <1ns입니다
      • 다음 표준을 준수합니다.
      -IEC 61000-4-2 (ESD) 면역 시험
      공기 배출 : ± 30kV
      접촉 배출 : ± 30kV
      -IEC61000-4-5 (Lightning) 2A (8/20μs)
      • AEC-Q101 자격이 있습니다
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    • DFN1006-2 NRESDLLC24VD8B
      • 초소형 패키지 : 1.0x0.6x0.5mm
      • 초저 누출 : NA 레벨
      • 낮은 작동 전압 : 5V
      • 낮은 클램핑 전압
      • 다음 표준을 준수합니다.
      -IEC 61000-4-2 (ESD) 면역 시험
      공기 배출 : ± 10kV
      접촉 배출 : ± 10kV
      -IEC61000-4-5 (Lightning) 1A (8/20μs)
      • ROHS 준수
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    • TVS 다이오드
      • 15KP 시리즈 15000W 축 방향 리드 TVS 다이오드
        • 패키지 이름 : P600
        • P600 유리 통행 칩 접합
        • 극성 : 컬러 밴드는 양방향을 제외한 양의 끝 (음극)을 나타냅니다.
        • 일반적인 고장 모드는 과도하게 지정된 전압 또는 전류에서 짧습니다.
        • 빠른 응답 시간 : 일반적으로 0 볼트에서 BV 분까지 1.0ps 미만.
        • 고온 납땜 : 터미널에서 260 ° C/10 초.
        • 솔더 딥 275 ° C 최대 JESD 22-B106 당 10 초
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      • 5KP 시리즈 5000W TVS 다이오드
        • 패키지 이름 : P600
        • P600 유리 통행 칩 접합
        • 극성 : 컬러 밴드는 양방향을 제외한 양의 끝 (음극)을 나타냅니다.
        • 일반적인 고장 모드는 과도하게 지정된 전압 또는 전류에서 짧습니다.
        • 빠른 응답 시간 : 일반적으로 0 볼트에서 BV 분까지 1.0ps 미만. 
        • 고온 납땜 : 터미널에서 260 ° C/10 초. 
        • 솔더 딥 275 ° C 최대 JESD 22-B106 당 10 초
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      • 3KP 시리즈 3000W TVS 다이오드
        • 패키지 이름 : P600
        • P600 유리 통행 칩 접합
        • 극성 : 컬러 밴드는 양방향을 제외한 양의 끝 (음극)을 나타냅니다.
        • 일반적인 고장 모드는 과도하게 지정된 전압 또는 전류에서 짧습니다.
        • 빠른 응답 시간 : 일반적으로 0 볼트에서 BV 분까지 1.0ps 미만.
        • 고온 납땜 : 터미널에서 260 ° C/10 초.
        • 솔더 딥 275 ° C 최대 JESD 22-B106 당 10 초
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      • 1.5KE 시리즈 1500W 과도 전압 억제제
        • 패키지 이름 : Do-201
        • P600 유리 통행 칩 접합
        • 극성 : 컬러 밴드는 양방향을 제외한 양의 끝 (음극)을 나타냅니다.
        • 일반적인 고장 모드는 과도하게 지정된 전압 또는 전류에서 짧습니다.
        • 빠른 응답 시간 : 일반적으로 0 볼트에서 BV 분까지 1.0ps 미만.
        • 고온 납땜 : 터미널에서 260 ° C/10 초. 
        • 솔더 딥 275 ° C 최대 JESD 22-B106 당 10 초
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      • ESD 보호 다이오드
        • SOT-143 ESD 보호 다이오드
          • 포장 : 릴
          • 사례 : Jedec SOT-143 패키지
          • 낮은 클램핑 전압
          • 작은 포장 옵션은 보드 공간을 절약합니다
          • 낮은 커패시턴스 : 4 pf 전형
          • 2 줄에 대한 보호
           
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        • SOT-363 ESD 다이오드
          • 인증 : ROHS
          • 패키지 이름 : SOT363
          • 빠른 응답 시간
          • 작은 패키지 크기
          • 낮은 클램핑 전압
          • IEC 61000-4-2 (ESD)와 호환 : Air 15kv, 8kv에 문의하십시오
          • IEC 61000-4-4 (EFT)와 호환 : 40A, 5/50 ns
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        • SOT-353 ESD 억제제
          • 인증 : ROHS
          • 패키지 이름 : SOT353
          • 빠른 응답 시간
          • 작은 패키지 크기
          • 낮은 클램핑 전압
          • IEC 61000-4-2 (ESD)와 호환 : Air 15kv, 8kv에 문의하십시오
          • IEC 61000-4-4 (EFT)와 호환 : 40A, 5/50 ns
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        • SOT-553 ESD 보호 장치
          • 빠른 응답 시간
          • 작은 패키지 크기
          • 낮은 클램핑 전압
          • IEC 61000-4-2 (ESD)와 호환 : Air 15kv, 8kv에 문의하십시오
          • IEC 61000-4-4 (EFT)와 호환 : 40A, 5/50 ns
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        • Schottky Diodes
          • SMA 3A 시리즈 Schottky 다이오드
            Schottky Barrier 정류기는 금속 반도체 접촉 표면에 형성된 장벽의 정류 특성을 사용하여 제조 된 금속 세분형 장치 장치입니다. 이 장치는 작고 작은 크기 시스템에 적합합니다. AC-DC 및 DC-DC 컨버터, 배터리 폴라이트 보호, 다중 전압 'Oring'및 기타 작은 크기 시스템의 경우 일반적입니다.
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          • SOD-123FL 1A 시리즈 Schottky 다이오드
            • 패키지 이름 : SOD-123FL
            • 금속 실리콘 접합, 다수의 캐리어 전도 
            • 표면 장착 응용 분야의 경우 
            • 저전력 손실, 고효율 
            • 높은 순방향 서지 전류 기능 
            • 저전압, 고주파 인버터, 프리 휠링 및 극성 보호 응용 프로그램에 사용
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          • SOD-123FL 2A 시리즈 Schottky 다이오드
            • 패키지 이름 : SOD-123FL 
            • 터미널 : MIL-STD 당 솔더 가능
            • 인증 : ROHS
            • 포장 : 릴에서
            • 금속 실리콘 접합, 다수의 캐리어 전도
            • 표면 장착 응용 분야의 경우
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          • SOD-123FL 3A 시리즈 Schottky 다이오드
            • 패키지 이름 : SOD-123FL 
            • 터미널 : MIL-STD 당 솔더 가능
            • 포장 : 릴에서
            • 금속 실리콘 접합, 다수의 캐리어 전도
            • 표면 장착 응용 분야의 경우
            • 저전력 손실, 고효율
            • 높은 순방향 서지 전류 기능
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          • MOSFETS
            • TO-220 MOSFET
              • 낮은 게이트 충전
              • 매우 낮은 CRS
              • 빠른 스위칭 기능
              • 100% 단일 펄스 눈사태 에너지 테스트
              • DV/DT 기능 향상
              • ROHS 제품
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            • SOP-8L MOSFET
              • 작은 패키지 : SOP-8L 패키지는 작은 크기를 채택하며 제한된 공간에서 여러 장치를 통합하는 데 적합합니다.
              • 표면 장착 기술 : SOP-8L 패키지는 Surface Mounting 기술을 채택하여 자동화 된 생산 및 용접을 용이하게하고 생산 효율성을 향상시킵니다.
              • 저항성 : MOSFET SOP-8L 패키지는 저항이 낮으므로 효율적인 전기 성능을 제공합니다.
              • 저전력 소비 : SOP-8L 패키지 MOSFET 장치는 일반적으로 전력 소비 특성이 낮고 에너지 절약이 필요한 응용 프로그램에 적합합니다.
              • 우수한 열 소산 성능 : SOP-8L 패키지는 일반적으로 우수한 열 소산 구조로 설계되어 장치에 의해 생성 된 열을 효과적으로 소산하고 장치의 신뢰성과 안정성을 향상시킬 수 있습니다.
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            • PDFN3333-8L MOSFET
              MOSFET PDFN3333-8L은 PDFN-8 패키지로 제공되며 8 핀 디자인이 있습니다. 이 포장 구조는 더 나은 열산 성능을 제공하고 고밀도 PCB 설계에 적합합니다. 또한 PDFN3333-8L 패키지는 저항력이 낮고 스위칭 손실이 낮고 고주파 특성이있어 전력 증폭 및 스위칭 응용 분야에 적합합니다.
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            • TO-3P MOSFET
              TO-3P 패키지는 우수한 열 소산 성능과 고전류 운반 용량을 가지며 고전력 밀도 회로 설계에 적합합니다. 이 패키지는 또한 우수한 열 안정성과 신뢰성을 제공하므로 고출력 밀도와 신뢰성이 필요한 응용 분야에 적합합니다. TO-3P 패키지의 핀 구조는 또한 회로 보드에 설치를 비교적 쉽게 만듭니다.
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