TO-3P MOSFET
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TO-3P MOSFET

TO-3P 패키지는 우수한 열 소산 성능과 고전류 운반 용량을 가지며 고전력 밀도 회로 설계에 적합합니다. 이 패키지는 또한 우수한 열 안정성과 신뢰성을 제공하므로 고출력 밀도와 신뢰성이 필요한 응용 분야에 적합합니다. TO-3P 패키지의 핀 구조는 또한 회로 보드에 설치를 비교적 쉽게 만듭니다.
가용성 :
수량 :
묻다 바스켓에 추가하십시오

to-3p

상징
 밀리미터의 치수
최소 맥스.

에이

 4.6 5
A1
 1.4 1.65
A2 1.18
 1.58
비 0.8 1.2
B1 2.8 3.2
B2 1.8 2.2
기음 0.5 0.75
디 19.6 20.2
D1 13.55 14.25
D2 12.9ref.
이자형 15.35 15.85
E4 12.6 -
이자형 5.45Typ
시간 40.1 40.9
H1 23.15 23.65
P1 3.2REF
P2 3.5ref


전압  부품 이름 v (br) dss ID 구성 RDS (on)-타입 RDS (on)-타입 v ( gs ) th-min v ( es ) th-max
(다섯) (에이) (MQ) 10V (MQ) 4.5V (다섯) (다섯)
100 HLP4310 100 140 하나의 0.009 0.012 2 4
100 HLP200N10 100 200 하나의 0.006 0.009 2 4
200 HLP90N20 200 90 하나의 0.02 0.025 2 4
250 HLP90N25 250 90 하나의 0.035 0.05 2 4
400 HLP15N40 400 15 하나의 0.24 0.3 2 4
400 HLP20N40 400 20 하나의 0.2 0.24 2 4
500 HLP460 500 25 하나의 0.21 0.27 2 4
500 HLP25N50 500 25 하나의 0.21 0.27 2 4
500 HLP30N50 500 30 하나의 0.09 0.12 2 4
500 HLP45N50 500 45 하나의 0.08 0.1 2 4
500 HLS50R120 500 20 하나의 0.1 0.12 2.5 4
500 HLS50R060 500 47 하나의 0.05 0.06 2.5 4
600 HLP24N60 600 24 하나의 0.21 0.26 2 4
600 HLP35N60 600 35 하나의 0.13 0.15 2 4
600 HLS60R075 600 47 하나의 0.068 0.075 2.5 4
600 HLS60R060 600 53 하나의 0.06 0.07 2.5 4
650 HLP25N65 650 25 하나의 0.25 0.3 2 4
650 HLP35N65 650 35 하나의 0.14 0.17 2 4
650 HLS65R080 650 47 하나의 0.072 0.08 2.5 4
650 HLS65R040 650 72 하나의 0.035 0.04 2.5 4.5
700 HLS70R110 700 47 하나의 0.1 0.11 2.5 4
900 HLP9N90 900 9 하나의 0.95 1.3 2 4
900 HLP11N90 900 11 하나의 0.75 1 2 4
900 HLP16N90 900 16 하나의 0.58 0.78 2 4
900 HLP20N90 900 20 하나의 0.28 0.4 2 4
1000 HLP4N100 1000 4 하나의 3.6 4.3 2 4
1000 HLP5N100 1000 5 하나의 2.1 2.5 2 4
1000 HLP6N100 1000 6 하나의 1.2 1.5 2 4
1200 HLP4N120 1200 4 하나의 - - 2 4
1200 HLP5N120 1200 5 하나의 2.8 3.4 2 4
1200 HLP6N120 1200 6 하나의 1.9 2.2 2 4
1200 HLP8N120 1200 8 하나의 1.3 1.6 2 4
1500 HLP3N150 1500 3 하나의 6 7.2 2 4
1500 HLP4N150 1500 4 하나의 4.5 6 2 4


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