TO-3P MOSFET
TO-3P MOSFET
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TO-3P封裝具有良好的散熱性能和高載流能力，適合高功率密度電路設計。該封裝還具有良好的熱穩定性和可靠性，使其適合需要高功率密度和可靠性的應用。 TO-3P封裝的引腳結構也使其在電路板上的安裝相對容易。
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to-3p

象徵
毫米的尺寸
很小。更大限度。

一個

4.65
A1
1.41.65
A21.18
1.58
b0.81.2
B12.83.2
B21.82.2
c0.50.75
d19.620.2
D113.5514.25
D212.9參考。
e15.3515.85
E412.6-
e5.45TYP
H40.140.9
H123.1523.65
P13.2參考
P23.5參考值


電壓 零件名稱v（br）DSSID配置rds（on）-Typrds（on）-TypV （ GS ） Th-MinV （ ES ） Th-Max
（v）（一個）（MQ）10V（MQ）4.5V（v）（v）
100HLP4310100140單身的0.0090.01224
100HLP200N10100200單身的0.0060.00924
200HLP90N2020090單身的0.020.02524
250HLP90N2525090單身的0.0350.0524
400HLP15N4040015單身的0.240.324
400HLP20N4040020單身的0.20.2424
500HLP46050025單身的0.210.2724
500HLP25N5050025單身的0.210.2724
500HLP30N5050030單身的0.090.1224
500HLP45N5050045單身的0.080.124
500HLS50R12050020單身的0.10.122.54
500HLS50R06050047單身的0.050.062.54
600HLP24N6060024單身的0.210.2624
600HLP35N6060035單身的0.130.1524
600HLS60R07560047單身的0.0680.0752.54
600HLS60R06060053單身的0.060.072.54
650HLP25N6565025單身的0.250.324
650HLP35N6565035單身的0.140.1724
650HLS65R08065047單身的0.0720.082.54
650HLS65R04065072單身的0.0350.042.54.5
700HLS70R11070047單身的0.10.112.54
900HLP9N909009單身的0.951.324
900HLP11N9090011單身的0.75124
900HLP16N9090016單身的0.580.7824
900HLP20N9090020單身的0.280.424
1000HLP4N10010004單身的3.64.324
1000HLP5N10010005單身的2.12.524
1000HLP6N10010006單身的1.21.524
1200HLP4N12012004單身的--24
1200HLP5N12012005單身的2.83.424
1200HLP6N12012006單身的1.92.224
1200HLP8N12012008單身的1.31.624
1500HLP3N15015003單身的67.224
1500HLP4N15015004單身的4.5624


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