TO-3P MOSFET

L'ensemble TO-3P a de bonnes performances de dissipation de chaleur et une capacité de charge de courant élevée, et convient à la conception de circuits de densité de haute puissance. Cet ensemble offre également une bonne stabilité thermique et fiabilité, ce qui le rend adapté aux applications nécessitant une densité et une fiabilité élevées. La structure PIN du package TO-3P facilite également son installation sur la carte de circuit imprimé.

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To-3p

Symbole	Dimensions en millimètres
Symbole	Min.	Max.
UN	4.6	5
A1	1.4	1.65
A2	1.18	1.58
b	0.8	1.2
b1	2.8	3.2
b2	1.8	2.2
c	0.5	0.75
D	19.6	20.2
D1	13.55	14.25
D2	12.9ref.
E	15.35	15.85
E4	12.6	-
e	5.45TYP
H	40.1	40.9
H1	23.15	23.65
P1	3.2ref
P2	3.5ref

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Interface USB

Tension	Nom de pièce	V (br) DSS	Identifiant	Configuration	RDS (ON) -TYP	RDS (ON) -TYP	V ( gs ) th-min	V ( es ) th-max
Tension	Nom de pièce	(V)	(UN)	Configuration	(mq) 10v	(mq) 4,5 V	(V)	(V)
100	HLP4310	100	140	Célibataire	0.009	0.012	2	4
100	HLP200N10	100	200	Célibataire	0.006	0.009	2	4
200	HLP90N20	200	90	Célibataire	0.02	0.025	2	4
250	HLP90N25	250	90	Célibataire	0.035	0.05	2	4
400	HLP15N40	400	15	Célibataire	0.24	0.3	2	4
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500	HLP45N50	500	45	Célibataire	0.08	0.1	2	4
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650	HLP35N65	650	35	Célibataire	0.14	0.17	2	4
650	HLS65R080	650	47	Célibataire	0.072	0.08	2.5	4
650	HLS65R040	650	72	Célibataire	0.035	0.04	2.5	4.5
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900	HLP9N90	900	9	Célibataire	0.95	1.3	2	4
900	HLP11N90	900	11	Célibataire	0.75	1	2	4
900	HLP16N90	900	16	Célibataire	0.58	0.78	2	4
900	HLP20N90	900	20	Célibataire	0.28	0.4	2	4
1000	HLP4N100	1000	4	Célibataire	3.6	4.3	2	4
1000	HLP5N100	1000	5	Célibataire	2.1	2.5	2	4
1000	HLP6N100	1000	6	Célibataire	1.2	1.5	2	4
1200	HLP4N120	1200	4	Célibataire	-	-	2	4
1200	HLP5N120	1200	5	Célibataire	2.8	3.4	2	4
1200	HLP6N120	1200	6	Célibataire	1.9	2.2	2	4
1200	HLP8N120	1200	8	Célibataire	1.3	1.6	2	4
1500	Hlp3n150	1500	3	Célibataire	6	7.2	2	4
1500	HLP4N150	1500	4	Célibataire	4.5	6	2	4

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400	HLP20N40	400	20	Célibataire	0.2	0.24	2	4
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