TO-3P MOSFET
TO-3P MOSFET
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TO-3P封装具有良好的散热性能和高载流能力，适合高功率密度电路设计。该封装还具有良好的热稳定性和可靠性，使其适合需要高功率密度和可靠性的应用。 TO-3P封装的引脚结构也使其在电路板上的安装相对容易。
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TO-3P

象征
尺寸（毫米）
很小值更大限度。

一个

4.65
A1
1.41.65
A21.18
1.58
b0.81.2
b12.83.2
b21.82.2
c0.50.75
D19.620.2
D113.5514.25
D212.9参考。
乙15.3515.85
E412.6-
e5.45TYP
H40.140.9
H123.1523.65
P13.2参考
P23.5参考值


电压 零件名称V(BR)DSSID配置RDS(on)型RDS(on)型V ( Gs ) th-minV ( es ) th-max
（五）（一个）(mQ)10V(mQ)4.5V（五）（五）
100HLP4310100140单身的0.0090.01224
100HLP200N10100200单身的0.0060.00924
200HLP90N2020090单身的0.020.02524
250HLP90N2525090单身的0.0350.0524
400HLP15N4040015单身的0.240.324
400HLP20N4040020单身的0.20.2424
500HLP46050025单身的0.210.2724
500HLP25N5050025单身的0.210.2724
500HLP30N5050030单身的0.090.1224
500HLP45N5050045单身的0.080.124
500HLS50R12050020单身的0.10.122.54
500HLS50R06050047单身的0.050.062.54
600HLP24N6060024单身的0.210.2624
600HLP35N6060035单身的0.130.1524
600HLS60R07560047单身的0.0680.0752.54
600HLS60R06060053单身的0.060.072.54
650HLP25N6565025单身的0.250.324
650HLP35N6565035单身的0.140.1724
650HLS65R08065047单身的0.0720.082.54
650HLS65R04065072单身的0.0350.042.54.5
700HLS70R11070047单身的0.10.112.54
900HLP9N909009单身的0.951.324
900HLP11N9090011单身的0.75124
900HLP16N9090016单身的0.580.7824
900HLP20N9090020单身的0.280.424
1000HLP4N10010004单身的3.64.324
1000HLP5N10010005单身的2.12.524
1000HLP6N10010006单身的1.21.524
1200HLP4N12012004单身的--24
1200HLP5N12012005单身的2.83.424
1200HLP6N12012006单身的1.92.224
1200HLP8N12012008单身的1.31.624
1500HLP3N15015003单身的67.224
1500HLP4N15015004单身的4.5624


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