MOSFETS (tranzistory polního efektu-efektu kov-oxid-semiconductor) jsou nezbytnými součástmi moderní elektroniky, které se používají pro přepínání a zesílení signálů. Lze je klasifikovat do několika kategorií: Mosfets Enhancement MosFets (n-kanál a p-kanál), které vyžadují provádění napětí brány; Režim vyčerpání Mosfets, který může provádět napětí nulové brány; Power MOSFETS, navržený pro aplikace s vysokým výkonem; RF MOSFETS, optimalizované pro vysokofrekvenční aplikace; Superjunkce MOSFETS, známá svou vysokou účinností ve vysokopěťových aplikacích; a příkopové mosfety, které mají příkopovou strukturu ke snížení odolnosti a náboje brány. Každý typ je vybrán na základě specifických požadavků na aplikaci, jako je napětí, proud a rychlost přepínání.
