SMA 1A -serien Schottky Diode

Yint hjem » Produkter » Power Diodes » Schottky Diodes » SMA -serie » SMA 1A -serien Schottky Diode

Del til:

SMA 1A -serien Schottky Diode

Funktioner

Anvendelse

※ Ansvarsfraskrivelse

Brugere skal verificere den faktiske enhedsydelse i deres specifikke applikationer.

Specifikationer kan ændres uden varsel.

Enhedskarakteristika og parametre i dette datablad kan og varierer i forskellige applikationer, og den faktiske enhedsydelse kan variere over tid.

Tidligere:

Næste:

Produktkategori

Automotive System

Industriel instrumentering

USB -interface

Parameter	Symboler	SS12	SS13	SS14	SS15	SS16	SS18	SS110	SS115	SS120	Enheder
Maksimal gentagen spids omvendt spænding	VRRM	20	30	40	50	60	80	100	150	200	V
Maksimal RMS -spænding	VRMS	14	21	28	35	42	56	70	105	140	V
Maksimal DC -blokeringsspænding	Voc	20	30	40	50	60	80	100	150	200	V
Maksimal gennemsnitlig fremadrettet strøm	Hvis (av)	1.0									EN
Peak Forward Surge Strøm, 8,3ms enkelt halv sinusbølge overlejret på nominel belastning	Ifsm	40									EN
Spændingshastighed for forandring (nominel VR)	DV/DT	10000									V/μs
Termisk modstand fra kryds til bly (1)	Rθjl	35									℃/w
Betjening af forbindelsestemperaturområdet	TJ ， TSTG	-65 ～+125									℃

Parameter	Symboler	SS12	SS13	SS14	SS15	SS16	SS18	SS110	SS115	SS120	Enheder
Maksimal gentagen spids omvendt spænding	VRRM	20	30	40	50	60	80	100	150	200	V
Maksimal RMS -spænding	VRMS	14	21	28	35	42	56	70	105	140	V
Maksimal DC -blokeringsspænding	Voc	20	30	40	50	60	80	100	150	200	V
Maksimal gennemsnitlig fremadrettet strøm	Hvis (av)	1.0									EN
Peak Forward Surge Strøm, 8,3ms enkelt halv sinusbølge overlejret på nominel belastning	Ifsm	40									EN
Spændingshastighed for forandring (nominel VR)	DV/DT	10000									V/μs
Termisk modstand fra kryds til bly (1)	Rθjl	35									℃/w
Betjening af forbindelsestemperaturområdet	TJ ， TSTG	-65 ～+125									℃