SMA 1AシリーズSchottky Diode

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SMA 1AシリーズSchottky Diode

特徴

応用

※免責事項

ユーザーは、特定のアプリケーションで実際のデバイスパフォーマンスを確認する必要があります。

仕様は予告なく変更される場合があります。

このデータシートのデバイスの特性とパラメーターは、アプリケーションが異なる場合と実行する可能性があり、実際のデバイスのパフォーマンスは時間とともに異なる場合があります。

製品カテゴリ

自動車システム

産業用計装

USBインターフェイス

F4、＃9 Tus-Caohejing Sceience Park、
No.199 Guangfulin E Road、Shanghai 201613

電話：+86- 18721669954
fax： +86-21-67689607
メール：global@yint.com。cn

パラメーター	シンボル	SS12	SS13	SS14	SS15	SS16	SS18	SS110	SS115	SS120	ユニット
最大繰り返しピーク逆電圧	VRRM	20	30	40	50	60	80	100	150	200	v
最大RMS電圧	VRMS	14	21	28	35	42	56	70	105	140	v
最大DCブロッキング電圧	Voc	20	30	40	50	60	80	100	150	200	v
最大平均前方整流電流	if（av）	1.0									a
ピークフォワードサージ電流、8.3ms シングルハーフサイン波の定格負荷に重ねられた	IFSM	40									a
変化の電圧率（定格VR）	DV/DT	10000									V/μs
接合部から鉛への熱抵抗（1）	rθjl	35									℃/w
動作ジャンクション温度範囲	TJ、TSTG	-65～+125									℃

パラメーター	シンボル	SS12	SS13	SS14	SS15	SS16	SS18	SS110	SS115	SS120	ユニット
最大繰り返しピーク逆電圧	VRRM	20	30	40	50	60	80	100	150	200	v
最大RMS電圧	VRMS	14	21	28	35	42	56	70	105	140	v
最大DCブロッキング電圧	Voc	20	30	40	50	60	80	100	150	200	v
最大平均前方整流電流	if（av）	1.0									a
ピークフォワードサージ電流、8.3ms シングルハーフサイン波の定格負荷に重ねられた	IFSM	40									a
変化の電圧率（定格VR）	DV/DT	10000									V/μs
接合部から鉛への熱抵抗（1）	rθjl	35									℃/w
動作ジャンクション温度範囲	TJ、TSTG	-65～+125									℃