P61089 -Serie Thyristor Surge Protection Device, TSS ist ein PNPN -Typ, das als Thyristor ohne Tor angesehen werden kann. Wenn eine Überspannungsspannung die Spitzenspannung von TSS (VDRM) überschreitet, begrenzt TSS die Spannung unter der Break-Over-Spannung. Zu diesem Zeitpunkt, wenn der durch TSS fließende Strom den Schaltstrom überschreitet, befindet sich der TSS in einem kurzfristigen Zustand. Wenn der Strom, der durch TSS läuft, niedriger als der Haltestrom (IH), setzt der TSS auf einen Hochzeitszustand zurück.
● Niedrige dynamische Schaltspannung: VFP und VDGL
Ur
● Hochhalterstrom: IH -≥ 1550 mA
Anwendungsfeld
Die P61089 -Serien sind so konzipiert, dass Kommunikationsgeräte wie SPC -Austauscher vor schädigen Überspannungstransienten in der zweiten Ebene schädigen.
Charakteristische Parameter
Teilenummer
Vmgl
IPP (10/1000 μs)
ICH H
P61089a
-170v
30a
150 mA
P61089b
-167V
40a
P61089c
-167V
100a
Elektrische Eigenschaften (TA = 25 ° C, sofern nicht anders angegeben)
Symbol
Parameter
Wert
Einheit
P61089a
P61089b
P61089c
Ich tsm
Nicht wiederholter Peakpulsstrom (F = 60 Hz)
t p = 500 ms
8
6.5
8
A
T = 1s
3.5
4.6
3.5
A
Ich GSM
Maximaler Torstrom (halb sinusoidtp = 10 ms)
2
2
2
A
V MLG
Maximale Spannung vor Ort
-170
-170
-170
V
V mgl
Gate-Line Maximale Spannung
-170
-167
-167
V
T Stg
Lagertemperaturbereich
-55 ~ 150
-55 ~ 150
-55 ~ 150
℃
T j
Maximale Temperatur
150
150
150
℃
T l
Maximale nachhaltige Temperatur des Lötes in 10 Sekunden
● Niedrige dynamische Schaltspannung: VFP und VDGL
Ur
● Hochhalterstrom: IH -≥ 1550 mA
Anwendungsfeld
Die P61089 -Serien sind so konzipiert, dass Kommunikationsgeräte wie SPC -Austauscher vor schädigen Überspannungstransienten in der zweiten Ebene schädigen.
Charakteristische Parameter
Teilenummer
Vmgl
IPP (10/1000 μs)
ICH H
P61089a
-170v
30a
150 mA
P61089b
-167V
40a
P61089c
-167V
100a
Elektrische Eigenschaften (TA = 25 ° C, sofern nicht anders angegeben)
Symbol
Parameter
Wert
Einheit
P61089a
P61089b
P61089c
Ich tsm
Nicht wiederholter Peakpulsstrom (F = 60 Hz)
t p = 500 ms
8
6.5
8
A
T = 1s
3.5
4.6
3.5
A
Ich GSM
Maximaler Torstrom (halb sinusoidtp = 10 ms)
2
2
2
A
V MLG
Maximale Spannung vor Ort
-170
-170
-170
V
V mgl
Gate-Line Maximale Spannung
-170
-167
-167
V
T Stg
Lagertemperaturbereich
-55 ~ 150
-55 ~ 150
-55 ~ 150
℃
T j
Maximale Temperatur
150
150
150
℃
T l
Maximale nachhaltige Temperatur des Lötes in 10 Sekunden