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Le principe de base de la formation de plasma implique que la matière soit chauffée suffisamment élevée pour l'ioniser, dissociant les électrons fr
L'IGBT est l'abréviation de 'transistor bipolaire de porte isolée ', également connu sous le nom de transistor bipolaire de la porte isolée. Igbt i
Description des produits Une diode est un dispositif électronique en matériaux semi-conducteurs (silicium, sélénium, germanium, etc.
