PXXXE TO-92 THIRISTOR SUGGETTORI

PXXXE TO-92 THIRISTOR SURGE PROTTRIZIONE TSS è un dispositivo di tipo PNPN che può essere considerato un tiristore senza gate. Quando una tensione di aumento supera il picco di tensione fuori dallo stato di TSS (VDRM), TSS limita la tensione al di sotto della tensione di rottura. In questo momento, quando la corrente che scorre attraverso TSS supera la corrente di commutazione, il TSS sarà in condizioni di corto circuito. Quando la corrente che scorre attraverso TSS inferiore alla corrente di mantenimento (IH), il TSS si ripristinerà in uno stato ad alta impedenza.

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Descrizione del prodotto

Specifiche

● Marca: yint

● Min. Ordine: 1 pezzo

● Certificazione: ROHS

● Eccellente capacità di assorbire l'ondata transitoria

● Risposta rapida alla tensione di sovratensione (livello NS)

● Elimina la sovratensione causata da transitori in rapido aumento

● Livello di sensibilità all'umidità: livello 1

● Impiegano il corto circuito quando si è accumulato oltre le valutazioni

● Non degenerativo

Caratteristiche elettriche di riepilogo, t a = 25 ° C (se non diversamente indicato)

Descrizione dei parametri		IDRM@VDRM		Vs ^①@is		Vt@ it		Ih	Co ^②
Descrizione dei parametri		IDRM@VDRM		Vs ^①@is		Vt@ it		Ih	UN	B	C
Unità		μA	V	V	Ma	V	UN	Ma	pf
Tipo	Env	max	min	max	max	max	max	min	max
P0080E	L	5	6	25	800	4	2.2	50	80	130	130
P0220E	L	5	18	30	800	4	2.2	50	60	120	120
P0300E	L	5	25	40	800	4	2.2	50	60	120	100
P0640E	L	5	58	77	800	4	2.2	150	50	80	200
P0720E	L	5	66	87	800	4	2.2	150	50	75	150
P0900E	L	5	75	98	800	4	2.2	150	50	70	140
P1100E	L	5	90	130	800	4	2.2	150	45	70	110
P1300E	L	5	120	160	800	4	2.2	150	45	60	100
P1500E	L	5	140	180	800	4	2.2	150	45	55	90
P1800E	L	5	170	220	800	4	2.2	150	35	50	90
P2300E	L	5	190	260	800	4	2.2	150	35	50	80
P2600E	L	5	220	300	800	4	2.2	150	35	45	80
P3100E	L	5	275	350	800	4	2.2	150	35	45	75
P3500E	L	5	320	400	800	4	2.2	150	35	40	60

Per le valutazioni di sovratensione individuali 'ea ' 'eb ' 'ec ', vedere la tabella sopra l: senza piombo

① vs viene misurato a 100kV/s

② La capacità di off-stato viene misurata in VDC = 2V, VRMS = 1V, F = 1MHz

※ Disclaimer

Gli utenti dovrebbero verificare le prestazioni effettive del dispositivo nelle loro applicazioni specifiche.

Le specifiche sono soggette a modifiche senza preavviso.

Le caratteristiche e i parametri del dispositivo in questa scheda tecnica possono e variano in diverse applicazioni e le prestazioni effettive del dispositivo possono variare nel tempo.

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