SOT-223 MOSFET

SOT-223 패키지는 전원 장치에 일반적으로 사용되는 4 개의 핀이있는 표면 마운트 패키지입니다. 그 기능에는 중간 전력 응용 분야의 적당한 크기 및 우수한 열 성능이 포함됩니다. SOT-223 패키지는 일반적으로 전류 및 전압 기능이 높으며 일정량의 전력을 견딜 수 있습니다. 또한 SOT-223 패키지는 우수한 열 안정성과 신뢰성을 가지므로 적당한 전력 밀도 및 신뢰성이 필요한 응용 분야에 적합합니다. 핀 구조는 또한 회로 보드에 비교적 쉽게 설치할 수있게합니다.

가용성 :

수량 :



묻다 바스켓에 추가하십시오

SOT-223

상징	밀리미터의 치수		치수는 인치입니다
상징	최소	맥스.	최소	맥스.
에이	1.520	1.800	0.060	0.071
A1	0.000	0.100	0.000	0.004
A2	1.500	1.700	0.059	0.067
비	0.660	0.820	0.026	0.032
기음	0.250	0.350	0.010	0.014
디	6.200	6.400	0.244	0.252
D1	2.900	3.100	0.114	0.122
이자형	3.300	3.700	0.130	0.146
E1	6.830	7.070	0.269	0.278
이자형	2.300 (BSC)		0.091 (BSC)
E1	4.500	4.700	0.177	0.185
엘	0.900	1.150	0.035	0.045
θ	0 °	10 °	0 °	10 °

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전압	부품 이름	v (br) dss	ID	구성	RDS (on)-타입	RDS (on)-타입	v ( gs ) th-min	V ( GS ) TH-MAX
전압	부품 이름	v (br) dss	(에이)	구성	(MQ) 10V	(MQ) 4.5V	v ( gs ) th-min	V ( GS ) TH-MAX
-100	HLT4P10	-100	-4	하나의	170	200	-1	-2.5
-60	HLT4P06	-60	-4	하나의	100	-	-1	-2.5
-60	HLT5P06	-60	-5	하나의	80	-	-1	-2.5
-60	HLP4P06A2	-60	-4	하나의	0.1	0.13	-2	-4
60	HLT5N06	60	5	하나의	26	33	1	2.5
60	HLT6N06	60	6	하나의	21	28	1	2.5
60	HLT9N06	60	9	하나의	12	16	1	2.5
150	HLT2N15	150	2	하나의	260	320	1	2.5

전압	부품 이름	v (br) dss	ID	구성	RDS (on)-타입	RDS (on)-타입	v ( gs ) th-min	V ( GS ) TH-MAX
전압	부품 이름	v (br) dss	(에이)	구성	(MQ) 10V	(MQ) 4.5V	v ( gs ) th-min	V ( GS ) TH-MAX
-100	HLT4P10	-100	-4	하나의	170	200	-1	-2.5
-60	HLT4P06	-60	-4	하나의	100	-	-1	-2.5
-60	HLT5P06	-60	-5	하나의	80	-	-1	-2.5
-60	HLP4P06A2	-60	-4	하나의	0.1	0.13	-2	-4
60	HLT5N06	60	5	하나의	26	33	1	2.5
60	HLT6N06	60	6	하나의	21	28	1	2.5
60	HLT9N06	60	9	하나의	12	16	1	2.5
150	HLT2N15	150	2	하나의	260	320	1	2.5

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