갑상선 서지 억제 고전력 적용을위한 4 개의 교류 P- 타입 및 N 형 재료의 4 층을 갖는 고체 반도체 장치를 갖는 고체 반도체 . 장치 전자 스위치, 인버터 및 주파수 변환.
티리스터 서지 억제의 주요 매개 변수 :
1. 최대 피크 전압 (VDRM) : TSS 사이리스터가 견딜 수있는 최대 주기적 반복 피크 전압.
2. 최대 제어 가능한 전류 (ITSM) : TSS 사이리스터가 견딜 수있는 최대 순간 제어 가능한 전류.
3. 피크 펄스 전류 (IH) : TSS 사이리스터가 견딜 수있는 순간 펄스 전류.
4. 작동 온도 범위 : TSS 사이리스터가 안정적으로 작동 할 수있는 온도 범위.
5. 트리거 전류 (ITH) : TSS 사이리스터 제어 가능한 갑상선 회로의 전도를 시작하기 위해 제공 해야하는 트리거 전류.
TSS를 사용하는 경우 다음 사항에주의를 기울여야합니다.
1. 사용 된 TSS는 설계 요구 사항을 충족해야하며 최대 정격 전압 및 전류를 초과 할 수 없습니다.
2. TSS의 트리거 회로의 경우 전원 공급 장치 노이즈 및 간섭을 완전히 고려해야합니다.
3. TSS는 난방 과정에서 열을 생성합니다. 특히 고온 환경에서 사용될 때 열 소산에 더 많은주의를 기울여야합니다.
4. 품질과 신뢰성을 보장하기 위해 공식 채널을 통해 TSS를 구매해야합니다.
5. TSS를 설치하고 운영 할 때 관련 안전 규정을 준수해야합니다.
