3 ဂယ်လီယမ် Nitride (Gan) သည် Power Management ကိုတော်လှန်ပြောင်းလဲခြင်းအကြောင်းရင်းများ

ဂယ်လီယမ်နိုက်ထရစ်သည်ဆီလီကွန်ကိုအစားထိုးခြင်းဖြစ်ပြီးလျှပ်စစ်ဓာတ်အားသိပ်သည်းဆနှင့်စွမ်းအင်ထိရောက်မှုရှိရန်လိုအပ်သော applications များတွင်ပိုမိုအသုံးပြုသည်။ မပြတ်မတောက်ဆက်သွယ်မှုကိုပေးရန်သော့ချက်အနေဖြင့်အချက်အလက်စင်တာများသည်စွမ်းအင်ထိရောက်မှုနှင့်ပါဝါသိပ်သည်းဆတိုးတက်စေရန်လူကြိုက်များသော semiconductor နည်းပညာကိုမှီခိုနေရသည်။ ။

Gan ဟုလူသိများသောဂယ်ရီယမ် Nitride နည်းပညာသည် Will-Voltage application များတွင်ပိုမိုအသုံးပြုသော bandgap semiconductor ပစ္စည်းဖြစ်သည်။ ဤအပလီကေးရှင်းများသည်လျှပ်စစ်ဓာတ်အားပိုမိုမြင့်မားသောစွမ်းအင်ထိရောက်သောစွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားခြင်း, ပိုမိုမြင့်မားပြောင်းခြင်းကြိမ်နှုန်း, ပိုမိုကောင်းမွန်သော switching frequency, ဒေတာစင်တာများအပြင်ဤအပလီကေးရှင်းများတွင် HVAC စနစ်များ, ဆက်သွယ်ရေးပါဝါထောက်ပံ့ရေးပစ္စည်းများ, Photovoltaic Inverters နှင့် Laptoltaic Invertters တို့ပါဝင်သည်။

Gan သည်စွမ်းအင်သိပ်သည်းဆနှင့်ထိရောက်မှုများ၏နယ်နိမိတ်ကိုမည်သို့တွန်းအားပေးနေသည်ကိုလေ့လာပါ။

Texas Instrumes တွင် Gan Product Line အကြီးအကဲဒေးဗစ် Snook ကပြောကြားရာတွင် Gallium Nitride သည်လျှပ်စစ်ဓာတ်အားပြတ်လပ်မှုကိုတိုးမြှင့်ခြင်းနှင့်ပါဝါစနစ်များကို အသုံးပြု. စွမ်းအင်သုံးစွဲမှုကိုတိုးတက်စေရန်အတွက်အရေးပါသောခြေလှမ်းဖြစ်သည်။ သူတို့ဒီဇိုင်းများတွင်ပါဝါသုံးစွဲခြင်းနှင့်စွမ်းဆောင်ရည်နိမ့်သည်။

Silicon သည်နှစ်ပေါင်း 60 ကျော်ကြာသောဆီလီကွန်သည်လက်ရှိ (AC) ကိုတိုက်ရိုက် (DC) ကိုတိုက်ရိုက် (DC) သို့တိုက်ရိုက် (AC) ၏လိုအပ်ချက်များနှင့်ဆက်စပ်သောအပလီကေးရှင်းများလိုအပ်ချက်များနှင့်အညီ dc voltage input ကိုပြောင်းလဲခြင်းဖြစ်သည်။ တ ဦး တည်းအရာအလုံအလောက်ဖြစ်ပါတယ်။ အစိတ်အပိုင်းများကိုတိုးတက်ကောင်းမွန်အောင်ပြုလုပ်ထားပြီးအကောင်းဆုံးဖြစ်သည့်အတွက်ဆီလီကွန်၏ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာဂုဏ်သတ္တိများကိုကောင်းမွန်စွာအသုံးပြုသည်။ ယနေ့ခေတ်ဆီလီကွန်သည်အရွယ်အစားမတိုးဘဲလိုအပ်သောကြိမ်နှုန်းဖြင့်အာဏာပိုမိုမပေးနိုင်ပါ။

ရလဒ်အနေဖြင့်လွန်ခဲ့သောဆယ်စုနှစ်အတွင်းတိုက်နယ်ဒီဇိုင်နာများသည်ပိုမိုမြင့်မားသောနေရာများတွင်ပိုမိုမြင့်မားသောအာဏာရရှိရန်တိုက်နယ်ဒီဇိုင်နာများသည်ဂန်ကိုလှည့်ခဲ့ကြသည်။ ဒီဇိုင်နာများစွာသည်အနာဂတ်ဆန်းသစ်တီထွင်မှုများအတွက်နည်းပညာ၏နည်းပညာ၏အလားအလာကိုယုံကြည်မှုရှိကြသည်။ အဓိကအားဖြင့်အချက်သုံးချက်ကြောင့်ဖြစ်သည်။

အကြောင်းပြချက် 1: Gan သည်ပြောင်းလဲသွားသည်။

semiconductor application တစ်ခုအနေဖြင့်ဂန်သည်ဆီလီကွန်သို့အသစ်အဆန်းဖြစ်သော်လည်းနှစ်ပေါင်းများစွာတီထွင်ခဲ့သောနှစ်ပေါင်းများစွာကြာယုံကြည်စိတ်ချရမှုရှိကြောင်းနှင့်ယုံကြည်စိတ်ချရမှုအချို့ရှိသည်။ တက်ကဆက်ပြည်နယ်တူရိယာများ Gan ချစ်ပ်များသည်နာရီပေါင်း 40 ကျော်ယုံကြည်စိတ်ချရမှုစစ်ဆေးခြင်းကိုစစ်ဆေးခဲ့သည်။ ၎င်း၏ထိရောက်မှုကိုဒေတာစင်တာများကဲ့သို့သောလျှောက်လွှာများတောင်းဆိုခြင်းတွင်ပင်၎င်း၏ထိရောက်မှုကိုထင်ရှားစေသည်။

စားသုံးသူများနှင့်စီးပွားရေးလုပ်ငန်းများသည် artificial ဉာဏ်ရည်များ, Cloud Computing နှင့်စက်မှုကုမ္ပဏီများကဲ့သို့သောအချက်အလက်များတိုးပွားလာသည်ကိုဒါဝိဒ်ကဆက်ပြောသည်နှင့်အမျှဒေတာစင်တာများပိုမိုများပြားလာရန်အတွက်စွမ်းအင်သုံးစွဲမှုကိုအလျှော့ပေးလိုက်လျောရန်အလွန်အကျွံသုံးစွဲရန်အတွက်ပိုမိုများပြားလာရန်လိုအပ်သည်။

အကြောင်းပြချက် 2 - Gan ကိုအသုံးပြုပြီးစနစ်အဆင့်ဒီဇိုင်းသည်ကုန်ကျစရိတ်များကိုသက်သာစေသည်။

Gan သည် Silicon ထက် ပို. စျေးကြီးသော်လည်း 0 င်ငွေ၏နိမ့်ကျသောအရာများ, စွမ်းဆောင်ရည်နှင့်စွမ်းဆောင်ရည်သိပ်သည်းဆတိုးတက်မှုများတိုးတက်မှုသည်ကန ဦး ရင်းနှီးမြှုပ်နှံမှု၏တန်ဖိုးထက်ပိုမိုများပြားသည်။ ဥပမာအားဖြင့် 100 မဂ္ဂါဝပ်ဒေတာစင်တာတွင် Gan အခြေစိုက်ပါဝါစီမံခန့်ခွဲမှုစနစ်ကိုအသုံးပြုခြင်းသည် 0.8% ထက်တောင်မှကယ်နုတ်နိုင်သည့်ဒေါ်လာ 7 သန်းကိုကယ်တင်နိုင်ခဲ့သည်။ ကယ်တင်ခြင်းရရှိသောစွမ်းအင်သည်အိမ် 80,000 သို့မဟုတ်မြို့ငယ်တစ်မြို့၏အရွယ်အစားကိုပါ 0 င်ရန်လုံလောက်သည်။

Texas Instolutes Power Design Services Power Design Service Group ၏အထွေထွေမန်နေဂျာဗိုလ်ချုပ်မှူးရောဘေးတေလာက Gan Technology သည်ပိုမိုမြင့်မားသောကြိမ်နှုန်းများနှင့်ဗိသုကာများပြုလုပ်နိုင်သည်။ 'လည်ပတ်နှုန်းမြင့်မားခြင်းကြောင့်အင်ဂျင်နီယာများသည်ဒီဇိုင်းတွင်ပိုမိုသေးငယ်သည့်အပိုဆောင်းအစိတ်အပိုင်းများကိုရွေးချယ်ခြင်းသည်ဆီလီကွန်မှမထောက်ပံ့သော topologies များကိုလည်းရွေးချယ်နိုင်ပြီးအင်ဂျင်နီယာများအားသူတို့၏စွမ်းအင်ဒီဇိုင်းများကိုပိုမိုကောင်းမွန်အောင်ပြုလုပ်ပေးသည်။

အကြောင်းပြချက် 3- ပေါင်းစည်းမှုမှတဆင့်စွမ်းဆောင်ရည်နှင့်အသုံးပြုမှုလွယ်ကူခြင်း။

Gan Fet များသည်အထူးဒီဇိုင်းအချိန်နှင့်အားထုတ်မှုကိုဆိုလိုသည်။ သို့သော် Texas Instruments သည် Gate Drivers နှင့်ကာကွယ်ရေးအင်္ဂါရပ်အချို့ကိုပေါင်းစပ်ခြင်းဖြင့် Gan ဒီဇိုင်းကိုရိုးရှင်းအောင်ပြုလုပ်ထားသည်။

ဒေးဗစ်က 'အင်ဒိုးရှင်များပိုမိုမြင့်မားသောစွမ်းအင်သိပ်သည်းဆနှင့်ပိုမိုမြင့်မားသော switching ကြိမ်နှုန်းကိုထောက်ပံ့ပေးပြီးစွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားသော switching frequency များကိုထောက်ပံ့ပေးသည်။ ပေါင်းစည်းမှုကိုပိုမိုကောင်းမွန်သောစွမ်းဆောင်ရည်အားဖြင့်ကြီးမားသောစွမ်းဆောင်ရည်အားသာချက်များကိုရရှိစေသည်။