SMBJ1505CA ကာကွယ်စောင့်ရှောက်ရေး SIC Mosfet ထုတ်ကုန်အသစ်

SIC MOS ပြွန်၏ဂိတ်ပြ problem နာကိုစဉ်းစားခြင်းနှင့်ဖြေရှင်းခြင်း

Power Semiconductor Device အသစ်တစ်ခုအနေဖြင့် Sic Mos Tube သည်မကြာသေးမီနှစ်များအတွင်းစွမ်းအင်အသစ်များ, PotoVoltaics, Smotions နှင့်အခြားနယ်ပယ်များတွင်ကျယ်ပြန့်စွာအသုံးပြုသောနည်းပညာအသစ်များတွင်ကျယ်ပြန့်စွာအသုံးပြုခဲ့သည်။ ၎င်းတွင်လျင်မြန်စွာ switching speed မြန်နှုန်း, ခံနိုင်ရည်မရှိခြင်းနှင့်အပူချိန်မြင့်မားခြင်းနှင့်အပူချိန်မြင့်မားခြင်းကဲ့သို့သောသိသာထင်ရှားသည့်အကျိုးကျေးဇူးများရှိသည်။

စွမ်းအင်အသစ်များကိုယူပြီးစွမ်းအင်ပြောင်းလဲခြင်းထိရောက်မှုကိုတိုးတက်စေရန် Sic Board Inverters တွင်အသုံးပြုသည်။ Photovoltaic Field တွင် Photovoltaic Inverters SIC MOS ပြွန်များ အသုံးပြု. Photosoltaic Inverters သည်စွမ်းအင်သိပ်သည်းဆသိပ်သည်းဆနှင့်ပြောင်းလဲခြင်းထိရောက်မှုကိုရရှိနိုင်သည်။

ဂိတ်ပြ problem နာကိုလေ့လာခြင်း၏အရေးပါမှု

SIC MOS ပြွန်၏အဓိကထိန်းချုပ်မှုအဆုံးတွင်၎င်း၏စွမ်းဆောင်ရည်နှင့်ယုံကြည်စိတ်ချရမှုသည်လုပ်ငန်းခွင်တည်ငြိမ်မှုနှင့်စက်တစ်ခုလုံး၏ဘဝကိုတိုက်ရိုက်သက်ရောက်သည်။ ဂိတ်တံခါးပျက်စီးသည်နှင့်တပြိုင်နက် SIC Mos Tube သည်ကောင်းမွန်စွာအလုပ်လုပ်လိမ့်မည်မဟုတ်, တိုက်နယ်စနစ်တစ်ခုလုံးကိုပျက်ကွက်ခြင်း, Power Semiconductor Device အသစ်တစ်ခုအနေဖြင့်စွမ်းအင်ဆိုင်ရာ MS Tube ကိုစွမ်းအင်အသစ်များ, ဖိုနီကျူးစ်များ, ၎င်းတွင်လျင်မြန်စွာ switching မြန်နှုန်း, ခုခံနိုင်မှုနိမ့်ခြင်းနှင့်အပူချိန်မြင့်မားခြင်းကဲ့သို့သောသိသာထင်ရှားမှုများစွာရှိသည်။

Chip Process ဖွဲ့စည်းပုံ၏ခြုံငုံသုံးသပ်ချက်

SIC MOS Tube ၏ comst mos tube ၏ comstrate, epitaxial layer, အရင်းအမြစ်, source, gate, တံခါးနှင့် insulating layer တို့ပါဝင်သည်။ ၎င်းတို့အနက်အလွှာသည်များသောအားဖြင့်အပူစီးကူးခြင်းနှင့်မြင့်မားသောလျှပ်စစ်ကွင်းဆင်းစွမ်းအား၏ဝိသေသလက္ခဏာများဖြစ်သောဆီလီကွန်ကာလက်ပစ္စည်းများဖြင့်ပြုလုပ်ထားသည်။ Estitaxial အလွှာသည်အလွှာပေါ်ရှိကြီးထွားလာပြီးကိရိယာ၏လျှပ်စစ် parameters များကိုတိကျစွာထိန်းချုပ်ရန်အသုံးပြုသည်။

အရင်းအမြစ်နှင့်ယိုစီးမှုသည်ပံ့ပိုးမှုနှင့် output ကိုအဆုံးစွန်းသောပံ့ပိုးမှုနှင့် output များဖြစ်သော chip ၏နှစ်ဖက်စလုံးတွင်တည်ရှိသည်။ တံခါးကို insulator အလွှာတစ်ခုမှရုပ်သံလိုင်းနှင့်ကွဲကွာနေသည်။ Channel ၏ conduction နှင့် cutoff များကိုဗို့အားလျှောက်ထားခြင်းဖြင့်ထိန်းချုပ်ထားသည်။ လျှပ်ကာအလွှာသည်များသောအားဖြင့်ဆီလီကွန်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ်ကဲ့သို့သောပစ္စည်းများနှင့်အများအားဖြင့်၎င်းအရည်အသွေးနှင့်အထူသည်တံခါးဝ၏စွမ်းဆောင်ရည်အပေါ်အရေးပါသောသွဇာလွှမ်းမိုးမှုရှိသည်။

အဆိုပါချစ်ပ်အတွက်ဂိတ်တံခါး၏အနေအထားနှင့် function ကို

ရာထူး - ဂိတ်သည်အရင်းအမြစ်နှင့်ယိုစီးမှုကြားတွင်တည်ရှိပြီးလျှပ်ကာအလွှာမှတစ်ဆင့်ရုပ်သံလိုင်းနှင့်နီးကပ်စွာတည်ရှိသည်။ ၎င်း၏အဓိကလုပ်ဆောင်ချက်မှာလျှပ်စစ်ဓာတ်အားဖြည့်ခြင်းများမှတစ်ဆင့် Channel ၏လုပ်ဆောင်မှုကိုထိန်းချုပ်ရန်နှင့် SIC MOS ပြွန်၏ conduction နှင့်ပိတ်ခြင်းကိုတိကျသောထိန်းချုပ်မှုရရှိရန်ဖြစ်သည်။ GATE တွင်အပြုသဘောဗို့အားကိုအသုံးပြုသောအခါအီလက်ထရွန်များသည် complet mos chane ကိုဖွင့်ရန်ရုပ်သံလိုင်းတွင်လျှပ်စစ်ဓာတ်အားပေးသည်။ ဂိတ်ဗို့အားသုညဖြစ်သည့်အခါလျှပ်စစ်ပျောက်ကွယ်သွားသည့်အီလက်ထရွန်များသည်ပျောက်ကွယ်သွားသည်။

function ကို - ဂိတ်တံခါး၏ထိန်းချုပ်မှု function သည်ရေစီးဆင်းမှု၏အရွယ်အစားနှင့်လက်ရှိ) ကိုတိကျစွာညှိနှိုင်းနိုင်သည့် faucet ၏ switch သည် faucet ၏ switch ကိုကဲ့သို့ဖြစ်သည်။

ဂိတ်တံခါးကိုအလွယ်တကူပျက်စီးရသည့်အကြောင်းရင်းများကိုခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာခြင်း

Miller Capacitor ၏လုပ်ဆောင်မှု၏ယန္တရား

Polysilicon အကျယ်, Channel နှင့် Thanch အကျယ်စသည့်အချက်များကြောင့် G-Pay leader leadness, PN Junction Dops သည်ကပ်ပါး capacitor cgd သည် parasitic cogd ကိုထုတ်လုပ်လိမ့်မည်။ CGD သည်အဆက်မပြတ်မဟုတ်ပါ, တံခါးဝနှင့်ယိုစီးမှုကြားရှိဗို့အားပြောင်းလဲမှုနှင့်အတူလျင်မြန်စွာပြောင်းလဲသွားလိမ့်မည်

High-Side MOS ပြွန်ရုတ်တရက်ဖွင့်သောအခါ, low-side mos mos ပြွန်၏ယိုစိမ့်မှုဗို့အားချက်ချင်းတိုးမြှင့်ပါလိမ့်မယ်။ ယခုအချိန်တွင်ဗို့အားပြောင်းလဲမှုနှုန်းနှင့်မြှောက်ထားသော Miller Capacitance အရွယ်အစားနှင့်အတူလက်ရှိလက်ရှိအခြေအနေကို Miller Low-Side Mos Phapter ၏ Miller Capacitor တွင်ထုတ်လုပ်မည်ဖြစ်သည်။ အကယ်. ဂိတ်တံခါးဖွင့်ပါကဤလက်ရှိသည် CGS capacitor ကိုသာအားသွင်းနိုင်သည်။ ၎င်းသည်ဂိတ်ဗို့အားရုတ်တရက်မြင့်တက်လာလိမ့်မည်။ ဂိတ်ဗို့အားဂိတ်လိုင်းသည် MOM ပြွန်၏ဂိတ်လိုင်း Voltage Vth ထက်ကျော်လွန်သောအခါ MOS ပြွန်၏ 0 င်ရောက်ခြင်းသည် 0 င်ရောက်ခြင်းနှင့်ရေရှည်လွဲမှားခြင်းသည်တံခါးကိုပျက်စီးစေလိမ့်မည်။

ကပ်ပါး capacitance ကြောင့်ဖြစ်ရတဲ့ပြ problems နာများဥပမာ

Miller Capacitance တည်ရှိမှုကြောင့် MOB-bridge circuit တစ်ခုဖွင့်သောအခါ၎င်းသည်အခြား MOS ပြွန်၏တံခါးကိုအကျိုးသက်ရောက်လိမ့်မည်။ ဥပမာအားဖြင့်, Miller Capacitance ၏အကျိုးသက်ရောက်မှုကြောင့် Gate Voltage သည်ပုံမှန်မဟုတ်ဘဲဂိတ်ဗို့အားပုံမှန်မဟုတ်ဘဲဂိတ်ဗို့အားကျဆင်းမှုနှင့်ပျက်စီးခြင်းကိုပုံမှန်အားဖြင့်ပုံမှန်အလုပ်မလုပ်နိုင်ပါ။

ပြင်ပဆားကစ်များတွင် overvoltage ၏အရင်းအမြစ်များ

ပြင်ပဆားကစ်များတွင် overvoltage သည်လျှပ်စီးသပိတ်မှောက်ခြင်း, လျှပ်စစ်ဓာတ်အားပေးစက်ရုံများပြောင်းလဲခြင်းကဲ့သို့သောအကြောင်းပြချက်အမျိုးမျိုးကြောင့်ဖြစ်ပေါ်လာနိုင်သည်။

လျှပ်စစ်ဓာတ်အားလိုင်းအတက်အကျရှိသည့်အခါဗို့အားရုတ်တရက်တိုးလာသည့်အခါ SIC MAS ပြွန်ကိုခြိမ်းခြောက်လိမ့်မည်။

inductive load (ဥပမာ Motors, Transformers စသည်တို့ကဲ့သို့) ရုတ်တရက်အဆက်ပြတ်သောအခါရုတ်တရက် lectromotive force ကိုထုတ်ပေးလိမ့်မည်။ ဤ ovolt များကို circuit မှတဆင့် SIC MOS ပြွန်၏ဂိတ်တံခါးဝသို့ပို့ဆောင်ပေးနိုင်ပြီးပျက်စီးမှုကိုဖြစ်ပေါ်စေသည်။

overvoltage အားဖြင့်တံခါးဝပျက်စီးဆုံးရှုံးမှုနိယာမ

တံခါးဝတွင်ဗို့အားသည်၎င်း၏သတ်မှတ်ထားသောခံတွင်းဗို့အားထက်ကျော်လွန်သောအခါတံခါးပေါက်အောက်ဆိုဒ်သည်ပြိုကွဲသွားလိမ့်မည်။ ၎င်းသည် Channel ကိုထိန်းချုပ်ရန်တံခါးကိုဆုံးရှုံးစေပြီးဂိတ်တံခါးကိုပြုလုပ်လိမ့်မည်။ ပြင်းထန်သောဖြစ်ရပ်များတွင်၎င်းသည်စက်ကိရိယာကိုအမြဲတမ်းပျက်စီးစေလိမ့်မည်

overvoltage သည်တံခါးဝအတွင်းရှိအပူသက်ရောက်မှုများကိုဖြစ်ပေါ်စေပြီးတံခါးပေါက်၏အပူချိန်ကိုသိသိသာသာမြင့်တက်စေပြီးပစ္စည်းများ၏စွမ်းဆောင်ရည်ကိုပိုမိုဆိုးရှားစေပြီးတံခါးပေါက်သို့ပိုမိုဆိုးရှားစေသည်

SIC MOS ပြွန်၏ operating အပူချိန်ဝိသေသလက္ခဏာများ

SIC MOS ပြွန်များသည်အပူချိန်မြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်ကောင်းမွန်သော်လည်းသူတို့၏စွမ်းဆောင်ရည် parameters များသည်အပူချိန်မြင့်မားသောပတ်ဝန်းကျင်တွင်ပြောင်းလဲသွားဆဲဖြစ်သည်။ အပူချိန်မြင့်တက်လာသည်နှင့်အမျှ SIC MOS ပြွန်၏ခုခံမှုတိုးပွားလာသည်နှင့်အမျှ switching speed သည်လျော့နည်းသွားလိမ့်မည်။ ဤ parametersters တွင်အပြောင်းအလဲများသည်စက်၏စွမ်းအင်သုံးစွဲမှုကိုတိုးပွားစေပြီးအပူပိုမိုများပြားစေပြီးအပူချိန်မြင့်တက်လာခြင်းပိုမိုဆိုးရှားစေသည်။

အပူချိန်သည်အချို့သောကန့်သတ်ချက်ထက်ကျော်လွန်သောအခါ၎င်းသည်ဂိတ်တံခါး၏ပစ္စည်းနှင့်ဖွဲ့စည်းပုံကိုအကျိုးသက်ရောက်စေပြီးဂိတ်တံခါး၏ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကိုလျော့နည်းစေသည်

တံခါးပစ္စည်းများနှင့်ဖွဲ့စည်းပုံအပေါ်မြင့်မားသောအပူချိန်၏သက်ရောက်မှု

အပူချိန်မြင့်မားသောအပူချိန်သည်ဂိတ်၏လျှပ်နေသည့်ပစ္စည်း၏စွမ်းဆောင်ရည်ကိုလျှော့ချပေးပြီးတံခါးဝနှင့်ချန်နယ်အကြား insulation in insultultation in insulation in insulation in insulation in insulation in insulation in insulation in insultation in insulation in insulation in insulation in interulation ကိုလျော့နည်းစေသည်။ အပူချိန်မြင့်မားသောအပူချိန်သည်ဂိတ်ဆိုင်များကိုပေါင်းစပ်ချဲ့ထွင်စေပြီးဂိတ်တံခါးများ၏ပုံမှန်လည်ပတ်မှုကိုထိခိုက်စေမည့်တံခါးနှင့်အခြားအစိတ်အပိုင်းများအကြားဆက်နွယ်မှုကိုဖြစ်ပေါ်စေသည်။

ကားတစ်စီး၏အင်ဂျင်အခန်းတွင်အီလက်ထရောနစ်ပစ္စည်းများဖြစ်သောအီလက်ထရောနစ်ပစ္စည်းများကဲ့သို့သောအပူချိန်မြင့်မားသော application တစ်ခုတွင်ပြုလုပ်ထားသော SIC MOS ပြွန်သည်အပူချိန်မြင့်မားသောပတ်ဝန်းကျင်တွင်ရှိသည်။

ထုတ်လုပ်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်ချို့ယွင်းချက်

ဘုံထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်ပြ problems နာများ

SIC MOS ပြွန်များကုန်ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်အတွင်းအချို့သောလုပ်ငန်းစဉ်ချို့ယွင်းချက်များဖြစ်ပေါ်နိုင်သည်။ ဥပမာ, Gand Oxide Layer, Photolithography သွေဖည်စသည်ဖြင့်ဖြစ်စဉ်များဖြစ်သည်။ ဤချို့ယွင်းချက်များသည်တံခါးဝအထူနှင့်အလွန်အကျွံဒေသဆိုင်ရာလျှပ်စစ်လယ်ပြင်ခွန်အားကိုမညီမညာဖြစ်နေသောအထူများနှင့်အလွန်အကျွံဒေသဆိုင်ရာလျှပ်စစ်လယ်စွမ်းအားကိုလျော့နည်းစေသည်။

ညစ်ညမ်းသောညစ်ညမ်းမှုညစ်ညမ်းမှုသည်တံခါးဝ၏လျှပ်စစ်ဓာတ်အားဂုဏ်သတ္တိများကိုပြောင်းလဲစေပြီးဂိတ်တံခါး၏ပုံမှန်လည်ပတ်မှုကိုအကျိုးသက်ရောက်နိုင်သည်။ potolithography သွေဖည်ခြင်းသည်စက်ပစ္စည်း၏စွမ်းဆောင်ရည်ရှေ့နောက်ညီညွတ်မှုကိုအကျိုးသက်ရောက်စေနိုင်သည်။

လုပ်ငန်းစဉ်ချို့ယွင်းချက်များသည်ဂိတ်ပျက်စီးမှုကိုဖြစ်ပေါ်စေသည်

Gate Oxide အလွှာရှိ Pinhholes သည်လက်ရှိအတွက်ယိုစိမ့်သောလမ်းကြောင်းများဖြစ်လာလိမ့်မည်။ လက်ရှိ pinhholes မှတဆင့်လက်ရှိဖြတ်သန်းသွားသောအခါဒေသတွင်းအပူကိုထုတ်လုပ်လိမ့်မည်, အောက်ဆိုဒ်အလွှာကိုထပ်မံပျက်စီးစေလိမ့်မည်။

ညစ်ညမ်းသောညစ်ညမ်းမှုညစ်ညမ်းမှုသည်တံခါးဝ၏ခံနိုင်ရည်ကိုပြောင်းလဲစေပြီးတံခါးပေါက်၏လျှပ်စစ်ကွင်းဆင်းဖြန့်ဝေမှုကိုအကျိုးသက်ရောက်စေပြီးတံခါးပေါက်ပြိုကွဲမှုကိုလျော့နည်းစေသည်။

photolithography သွေဖည်ခြင်းကြောင့်ဖြစ်ပေါ်လာသောရှေ့နောက်မညီတံခါးပေါက်သည်မတူညီသောကိရိယာများ၏တံခါးဝပျံ့နှံ့မှုမှာကွဲပြားခြားနားမှုများကိုဖြစ်ပေါ်စေသည်။ လက်တွေ့ကျသောအပလီကေးရှင်းများတွင်စွမ်းဆောင်ရည်ညံ့ဖျင်းသောဂိတ်စ်သည်ပျက်စီးမှုကိုပိုမိုဖြစ်ပေါ်နိုင်သည်။

အခြေခံအလုပ်လုပ်နိယာမမိတ်ဆက်နိဒါန်း

SMBJ1505CA သည်အလွန်အမင်းထိရောက်သော circuit protection device နှင့်၎င်း၏လုပ်ငန်းမူသည် PN လမ်းဆုံ၏ပြိုကွဲပျက်စီးခြင်းအကျိုးသက်ရောက်မှုအပေါ်အခြေခံသည်။ တီဗီများရှိဗို့အားသည်၎င်း၏ပြိုကွဲမှုဗို့အားထက်ကျော်လွန်သောအခါတီဗီသည်အလွန်အမင်းပြောင်းလဲသွားပြီးအလွန်အကျွံဗို့အား၏သက်ရောက်မှုမှအကာအကွယ်ပေးထားသောကိရိယာကိုကာကွယ်နိုင်သည်။ Circuit တွင်တီဗီများတွင်များသောအားဖြင့် Protected SIC Mos Tube တံခါးဝနှင့်အပြိုင်ချိတ်ဆက်ထားသည်။ ယာကုပ်များတွင်တီဗီများ (များသောအားဖြင့် nanoseconds) သည်အလွန်တိုတောင်းသောအချိန်များတွင်တီဗီများကတုန့်ပြန်ပြီးမြေပေါ်သို့ကျော်လွန်သွားလိမ့်မည်။

SMBJ1505CA TRANTIENT ဖိနှိပ်မှု diode ကို SIC Mos Tube ဂိတ်ကာကွယ်ရေးအတွက်အထူးဒီဇိုင်းပြုလုပ်ထားသည်။ ၎င်း၏ Forward Breake Voltage ကိုများသောအားဖြင့် 15V ကိုသတ်မှတ်လေ့ရှိပြီးပြောင်းပြန်ဖြိုဖျက်ဗို့အား -5V အကြောင်းသတ်မှတ်ထားသည်။ ထိုကဲ့သို့သော voltage setting ကို SIC Mos Tube ၏ဂိတ်လည်ပတ်မှုဗို့အားအကွာအဝေးနှင့်ကိုက်ညီနိုင်သည်, ဤ diode သည်မြန်ဆန်သောတုန့်ပြန်မှုအချိန်, ပြောင်းလဲနေသောခုခံမှုနည်းပါးခြင်းနှင့်မြင့်မားသောသွေးခုန်နှုန်းသည်းခံမှုတို့ဖြစ်သည်။ မြန်ဆန်သောတုန့်ပြန်မှုအချိန်သည်အချိန်မီအရေးယူဆောင်ရွက်မှုကို overvoltage ၏ယခုအချိန်တွင်အချိန်မီအရေးယူနိုင်စွမ်းကိုသေချာစေနိုင်သည်။ နိမ့်ကျသောခုခံနိုင်မှုနိမ့်သောခံနိုင်ရည်သည်အနိမ့်အမြင့်ဆုံးဗို့အားကိုတတ်နိုင်သမျှနီးကပ်စွာပြုလုပ်နိုင်သည်။

အသုံးပြုခြင်းအကြောင်းပြချက် smbj1505ca

crosstalk ကြောင့်ဖြစ်ရတဲ့ဂိတ်ဗို့အားအတက်အကျကိုတားဆီး

bridge circuits ကဲ့သို့သော application များအနေဖြင့် SIC MOS Tube Module ၏ switching လုပ်ဆောင်မှုသည်အခြား module တစ်ခု၏ switch ၏တံခါးပေါက် -ourme voltage voltage အတက်အကျကိုဖြစ်ပေါ်စေလိမ့်မည်။ အပြုသဘောဆောင်သော CrosStalk သည်တံခါးဝတ်ထုကိုအပြုသဘောတိုးပွားစေနိုင်သည်။ အနုတ်လက်ခဏာ CrosStalk သည်ဂိတ်ဗို့အားကိုအပျက်သဘောတိုးပွားစေပြီးအနုတ်လက်ခဏာဗို့အားသည်းခံစိတ်ကန့်သတ်ချက်သည်ဂိတ်ပြိုကွဲမှုကိုဖြစ်ပေါ်စေလိမ့်မည်။ SMBJ1505CA Transient ဖိနှိပ်မှု diode diode သည် crosstalk ကြောင့်ဖြစ်သော Gate Voltage အတက်အကျကိုထိထိရောက်ရောက်ဖိနှိပ်နိုင်သည်။ TV များသည်ပုံမှန်မဟုတ်သောဖွင့်ဟစ်မြစ်ပေါ်ပေါက်လာပါကတီဗီများသည်မှားယွင်းစွာဖွင့်လှစ်ခြင်းနှင့်ဂိတ်ဖြိုခွဲခြင်းကိုကာကွယ်ရန်လုံခြုံသောအကွာအဝေးအတွင်းရှိဗို့အားကိုအရှိန်မြှင့ ်. clamp လိမ့်မည်။

Transient Overvoltage ၏ခြိမ်းခြောက်မှုနှင့်ဆက်ဆံခြင်း

အထက်တွင်ဖော်ပြခဲ့သည့်အတိုင်း Extning Circuit မှထုတ်လုပ်သော overvolts များ, လျှပ်စစ်ဓာတ်အားလိုင်းအတက်အကျများနှင့် inductive load switches များဖြစ်သော ource ည့်သည်များ, ဤ overvoltoldtages သည်ဂိတ်တံခါးကိုနောက်ကြောင်းပြန်လှည့ ်. မရသောပျက်စီးမှုကိုဖြစ်ပေါ်စေသည်။

Transient ဖိနှိပ်မှု diodes သည် overvoltage ၏ယခုအချိန်တွင်လျင်မြန်စွာတုံ့ပြန်နိုင်ပြီးလုံခြုံစိတ်ချရသောအကွာအဝေးအတွင်း overvoltage ကိုကန့်သတ်ထားနိုင်သည်။

ယာယီဖိနှိပ်မှု diodiodes ကိုထည့်ခြင်း၏အကျိုးကျေးဇူးများ

overvoltage နှင့် crosstoltalk ကိုဖိနှိပ်ခြင်းအားဖြင့်ယာယီပမ်ပွားခြင်း diodies သည်တံခါးဝတွင်လျှပ်စစ်ဓာတ်အားစိတ်ဖိစီးမှုကိုထိရောက်စွာလျှော့ချနိုင်ပြီးဂိတ်တံခါးပေါက်၏အန္တရာယ်ကိုလျော့နည်းစေနိုင်သည်။ ဤသည် SIC Mos ပြွန်များ၏ 0 န်ဆောင်မှုသက်တမ်းကိုတိုးချဲ့ရန်, ပစ္စည်းကိရိယာများပျက်ကွက်မှုများကိုလျှော့ချရန်နှင့်တိုက်နယ်စနစ်တစ်ခုလုံး၏ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကိုတိုးတက်စေသည်။

စက်မှုလုပ်ငန်းအလိုအလျောက်, လျှပ်စစ်လျှပ်စစ်ပစ္စည်းများစသဖြင့်, တံခါးပေါက်ကိုကာကွယ်ရန်ယာယီဖိနှိပ်မှု diod များကို သုံး. ပစ္စည်းကိရိယာများကိုရေရှည်တည်ငြိမ်မှုကိုသေချာစေပြီးပြုပြင်ထိန်းသိမ်းမှုစရိတ်များကိုလျှော့ချနိုင်သည်။