Diodo Schottky da série SOD-123FL 3A
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Diodo Schottky da série SOD-123FL 3A

  • Nome do pacote: SOD-123fl 
  • Terminais: soldável por mil-std
  • Embalagem: no carretel
  • Metal Silicon Junction, condução da portadora majoritária
  • Para aplicações montadas na superfície
  • Baixa perda de energia, alta eficiência
  • Alta capacidade de corrente para a frente
Disponibilidade:
Quantidade:

O diodo de barreira SOD-123FL 3A da série 3A Mount Schottky possui baixa tensão para frente, construção epitaxial com passivação de óxido, anel de guarda para proteção transitória e ESD, classificação de sobrecarga de sobrecarga para pico de 100A, baixa perda de energia e comutação rápida. Idealmente adequado para uso em SMPs de alta frequência, inversores e como um diodo de roda livre. Seu design avançado garante conversão de energia eficiente e desempenho confiável em várias aplicações eletrônicas. Com seu tamanho compacto e características robustas, o diodo SR310 fornece uma solução econômica para melhorar a eficiência e a durabilidade dos sistemas de fonte de alimentação, permitindo a operação perfeita em ambientes exigentes.



Aplicações:

  • Pode ser usado para evitar um problema de polaridade reversa

  • Inversores de alta frequência

  • Usado como um dispositivo de proteção

  • Reguladores de fluxo atuais

  • Aplicações de proteção de polaridade


※ Isenção de responsabilidade

Os usuários devem verificar o desempenho real do dispositivo em seus aplicativos específicos.

As especificações estão sujeitas a alterações sem aviso prévio.

As características e parâmetros do dispositivo nesta folha de dados podem e variam em diferentes aplicativos e o desempenho real do dispositivo pode variar com o tempo.


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Classificações máximas absolutas e características elétricas

Classificações a 25 ℃ Temperatura ambiente, a menos que especificado de outra forma.

Parâmetro Símbolos DS32 DS34 DS36 DS38 DS310 DS312 DS315 DS320 Unidades
Tensão reversa máxima de pico repetitivo V rrm 20 40 60 80 100 120 150 200 V
Tensão RMS máxima V rms 14 28 42 56 70 84 105 140 V
Tensão máxima de bloqueio de DC V dc 20 40 60 80 100 120 150 200 V
Corrente retificada para a frente média máxima Eu f (av) 3 UM
Corrente de pico para a frente, 8,3ms de meia onda senoidal sobreposta na carga nominal (método JEDEC) I FSM 80 UM
Tensão direta instantânea máxima em 1 a V f 0.55 0.70 0.85 0.95 V
Corrente reversa máxima dc ta = 25 ℃ na tensão reversa de CC nominal ta = 100 ℃ Eu r 0.5
10
0.3
5
MA
Capacitância típica da junção1 C J. 250 160 pf
Resistência térmica típica2 R θja 80 ℃/w
Faixa de temperatura de junção operacional T j -55 ~ +150
Faixa de temperatura de armazenamento T stg -55 ~ +150

1. Medido a 1 MHz e aplicado tensão reversa de 4 V DC

2. PCB montado com áreas de alcance de cobre 2,0 'x 2,0 ' (5 x 5 cm).


SOD1231

SOD1232

SOD1233 SOD1234


Nome Vrrm v Vrrs v VDC v Se (av) a Ifsm a Vf * v IR (MA) 25 ℃ IR (MA) 100 ℃ Rθjl* ℃/w TJ ℃ Tstg ℃
DS32 20 14 20 3 80 0.55 0.5 10 250 80 -55 ℃ ~ ﹢ 150 ℃
DS34 40 28 40 3 80 0.55 0.5 10 250 80 -55 ℃ ~ ﹢ 150 ℃
DS36 60 42 60 3 80 0.7 0.3 5 160 80 -55 ℃ ~ ﹢ 150 ℃
DS38 80 56 80 3 80 0.7 0.3 5 160 80 -55 ℃ ~ ﹢ 150 ℃
DS310 100 70 100 3 80 0.85 0.3 5 160 80 -55 ℃ ~ ﹢ 150 ℃
DS312 120 84 120 3 80 0.85 0.3 5 160 80 -55 ℃ ~ ﹢ 150 ℃
DS315 150 105 150 3 80 0.95 0.3 5 160 80 -55 ℃ ~ ﹢ 150 ℃
DS320 200 140 200 3 80 0.95 0.3 5 160 80 -55 ℃ ~ ﹢ 150 ℃


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