SOD -123FL 3A Sê -ri từ nhà sản xuất Trung Quốc

Diode SOD-123FL 3A Surface Mount Schottky Barrier có điện áp thấp về phía trước, cấu trúc epiticular với thụ động oxit, vòng bảo vệ để bảo vệ thoáng qua và ESD, xếp hạng quá tải lên đỉnh 100A, mất điện thấp và chuyển đổi nhanh. Lý tưởng phù hợp để sử dụng trong SMP tần số cao, bộ biến tần và như một diode bánh xe tự do. Thiết kế nâng cao của nó đảm bảo chuyển đổi năng lượng hiệu quả và hiệu suất đáng tin cậy trong các ứng dụng điện tử khác nhau. Với kích thước nhỏ gọn và đặc điểm mạnh mẽ, diode SR310 cung cấp một giải pháp hiệu quả về chi phí để tăng cường hiệu quả và độ bền của các hệ thống cung cấp năng lượng, cho phép hoạt động liền mạch trong môi trường đòi hỏi.

Ứng dụng:

Có thể được sử dụng để ngăn chặn vấn đề phân cực ngược
Bộ biến tần tần số cao
Được sử dụng như một thiết bị bảo vệ
Bộ điều chỉnh dòng chảy hiện tại
Ứng dụng bảo vệ phân cực

Tuyên bố miễn trừ trách nhiệm

Người dùng nên xác minh hiệu suất thiết bị thực tế trong các ứng dụng cụ thể của họ.

Thông số kỹ thuật có thể thay đổi mà không cần thông báo trước.

Các đặc điểm và tham số của thiết bị trong bảng dữ liệu này có thể và thực hiện thay đổi trong các ứng dụng khác nhau và hiệu suất thiết bị thực tế có thể thay đổi theo thời gian.

Thẻ nóng: Diode Schottky DS32-DS320 SOD123FL, Trung Quốc, nhà sản xuất, nhà máy, giá cả, Bộ chỉnh lưu SMC Schottky, DIODE RABIRER SCHOTTKY, Trở chỉnh Schottky, DIODE RACHIRER SMD SCHOTTKY, Đến 277 DIODE SCHOTTKY, Điốt Barrier Schottky

Xếp hạng tối đa tuyệt đối và đặc điểm điện

Xếp hạng ở nhiệt độ môi trường 25 ℃ trừ khi có quy định khác. Giai đoạn, nửa sóng, tải điện trở 60Hz, cho tải điện dung, tăng 20 %

Tham số	Biểu tượng	DS32	DS34	DS36	DS38	DS310	DS312	DS315	DS320	Đơn vị
Điện áp đảo ngược cực đại lặp đi lặp lại	V _rrm	20	40	60	80	100	120	150	200	V
Điện áp RMS tối đa	V _rms	14	28	42	56	70	84	105	140	V
Điện áp chặn DC tối đa	V _dc	20	40	60	80	100	120	150	200	V
Hiện tại được chỉnh lưu trung bình tối đa	Tôi _{f (av)}	3								MỘT
Dòng điện tăng tốc độ phía trước, 8,3ms đơn một nửa sóng hình sin chồng lên trên tải định mức (phương pháp Jedec)	Tôi _fsm	80								MỘT
Điện áp chuyển tiếp tối đa ngay lập tức ở 1 A	V _f	0.55		0.70		0.85		0.95		V
DC Đảo ngược tối đa TA = 25 ℃ tại định mức DC Điện áp ngược TA = 100 ℃	Tôi _r	0.5 10		0.3 5						MA
Điện dung tiếp giáp điển hình1	C _j	250		160						PF
Điện trở nhiệt điển hình2	R _θja	80								℃/w
Phạm vi nhiệt độ tiếp giáp vận hành	T _J.	-55 ~ +150								℃
Phạm vi nhiệt độ lưu trữ	T _stg	-55 ~ +150								℃

1. Đo ở 1 MHz và áp dụng điện áp ngược của 4 V DC

2. PCB gắn với các khu vực pad đồng 2.0 'x 2.0 ' (5 x 5 cm).

Tên	Vrrm v	Vrrs v	VDC v	If (av) a	Ifsm a	Vf * v	IR (MA) 25	IR (MA) 100	Rθjl* ℃/w	TJ ℃	TSTG
DS32	20	14	20	3	80	0.55	0.5	10	250	80	-55 ℃ ~ 150
DS34	40	28	40	3	80	0.55	0.5	10	250	80	-55 ℃ ~ 150
DS36	60	42	60	3	80	0.7	0.3	5	160	80	-55 ℃ ~ 150
DS38	80	56	80	3	80	0.7	0.3	5	160	80	-55 ℃ ~ 150
DS310	100	70	100	3	80	0.85	0.3	5	160	80	-55 ℃ ~ 150
DS312	120	84	120	3	80	0.85	0.3	5	160	80	-55 ℃ ~ 150
DS315	150	105	150	3	80	0.95	0.3	5	160	80	-55 ℃ ~ 150
DS320	200	140	200	3	80	0.95	0.3	5	160	80	-55 ℃ ~ 150

SOD-123FL 3A Series Schottky Diode

Danh mục sản phẩm

Liên kết nhanh

Giải pháp

Tin tức liên quan

Sản phẩm của chúng tôi

Về chúng tôi

Nhiều liên kết hơn

Liên hệ với chúng tôi

Mạng xã hội

Tính khả dụng:

Số lượng:



Hỏi Thêm vào giỏ