MOSFETS (Metal-oxide-semiconductor field-effect-effect effect) เป็นส่วนประกอบที่จำเป็นในอิเล็กทรอนิกส์ที่ทันสมัยใช้สำหรับการสลับและขยายสัญญาณ พวกเขาสามารถแบ่งออกเป็นหลายหมวดหมู่: โหมดการปรับปรุง MOSFETs (N-channel และ P-channel) ซึ่งต้องใช้แรงดันเกตเพื่อดำเนินการ โหมดพร่อง MOSFETs ซึ่งสามารถดำเนินการด้วยแรงดันไฟฟ้าเกตศูนย์ Power Mosfets ออกแบบมาสำหรับแอพพลิเคชั่นพลังงานสูง RF MOSFETS ปรับให้เหมาะสมสำหรับแอปพลิเคชันความถี่สูง Superjunction Mosfets เป็นที่รู้จักกันดีในเรื่องประสิทธิภาพสูงในการใช้งานแรงดันสูง และสนามเพลาะ Mosfets ซึ่งมีโครงสร้างร่องลึกเพื่อลดการต้านทานและการชาร์จประตู แต่ละประเภทจะถูกเลือกตามข้อกำหนดของแอปพลิเคชันเฉพาะเช่นแรงดันไฟฟ้ากระแสและความเร็วในการสลับ