MOSFETS (метало-оксид-семікупровідникові польові транзистори) є важливими компонентами сучасної електроніки, що використовуються для комутації та посилення сигналів. Їх можна класифікувати на кілька категорій: MOSFET в режимі вдосконалення (N-канал та P-канал), які потребують напруги воріт для проведення; Режим виснаження MOSFETS, який може проводитися з нульою напругою воріт; Потужність MOSFET, розроблена для додатків з високою потужністю; RF MOSFET, оптимізовані для високочастотних додатків; Superjunction MOSFET, відомий своєю високою ефективністю у високостільних додатках; і траншеї MOSFET, які містять траншею для зменшення резистентності та заряду воріт. Кожен тип вибирається на основі конкретних вимог програми, таких як напруга, струм та швидкість перемикання.