ESD保护二极管ESD8V0D5B
采用 SOD523 封装的单通道 8V 双向 ESD 二极管
描述
特征
包裹
| 范围 | 象征 | 价值 | 单元 |
| 更大反向峰值脉冲电流(8/20μS) | 伊普 | 8 | 一个 |
| ESD Per IEC 61000-4-2（空气） | 血管内皮生长因子受体 | ±30 | KV |
| ESD 符合 IEC 61000−4−2（接触式） | 血管内皮生长因子受体 | ±30 | KV |
| 存储温度范围 | TSTJ | -55 优 +150 | ℃ |
| 工作温度范围 | 东杰 | -40 优 +125 | ℃ |
| 铅焊温度 | TL | 260（10秒） | ℃ |
| 零件号 | 双/大学 | 渠道 | VRWM | VBR | 反向电流@vrwm | 钳位电压 | 二极管电容 VR = 0V，f = 1MHz | ipp | ESD PER IEC 61000-4-2 | 地位 | 样品 | ||||
| 更大(V) | 很小（v） | 更大(V) | 很小（μa） | 更大(V) | 更大(pF) | 一个 | VESD］核心材料（例如铁或铁氧体）制成电感器，从而影响磁场的效率。具有高磁渗透性的材料可以增强田间的强度，从而使电感器能够存储更多的能量。 | VESD（联系方式） | |||||||
| ESD8V0D5B | 双 | 1 | 8 | 8.2 | 11 | 0.5 | 12 | 30 | 8 | 30 | 30 |  | 索取样品 | ||
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