DFN ESD -dioder

ESD0524P har en typisk kapacitans på kun 0,35 pf mellem I/O -stifter. Dette gør det muligt at bruge det på kredsløb, der fungerer over 4 GHz uden signaldæmpning. De er specifikt designet til at beskytte følsomme komponenter, der er forbundet til højhastighedsdata og transmissionslinjer fra overspænding forårsaget af ESD (elektrostatisk udladning), CDE (kabeludladningsbegivenheder) og EFT (elektriske hurtige transienter). De plejede at opfylde ESD-immunitetskravene i IEC 61000-4-2, niveau 4 (± 15 kV luft, ± 8 kV kontaktudladning).

ESD3304 -serien er designet til at beskytte spændingsfølsomme komponenter mod ESD og kortvarige spændingsbegivenheder. Fremragende klemkapacitet, lav lækage og hurtig responstid, gør disse dele ideelle til ESD -beskyttelse på design, hvor brætpladsen er på en præmie.

ESD1065p har en typisk kapacitans på kun 0,25pf mellem I/O -stifter. Dette gør det muligt at bruge det på kredsløb, der fungerer over 4 GHz uden signaldæmpning. De er specifikt designet til at beskytte følsomme komponenter, der er forbundet til højhastighedsdata og transmissionslinjer fra overspænding forårsaget af ESD (elektrostatisk udladning), CDE (kabeludladningsbegivenheder) og EFT (elektriske hurtige transienter). De plejede at opfylde ESD-immunitetskravene i IEC 61000-4-2, niveau 4 (± 15 kV luft, ± 8 kV kontaktudladning).