dfn esd diodes

ESD0524P มีความจุทั่วไปเพียง 0.35pF ระหว่างหมุด I/O สิ่งนี้จะช่วยให้สามารถใช้กับวงจรที่ทำงานได้เกิน 4GHz โดยไม่มีการลดทอนสัญญาณ พวกเขาได้รับการออกแบบมาโดยเฉพาะเพื่อปกป้องส่วนประกอบที่ละเอียดอ่อนซึ่งเชื่อมต่อกับข้อมูลความเร็วสูงและสายส่งจากแรงดันไฟฟ้าเกินที่เกิดจาก ESD (การปล่อยไฟฟ้าสถิต), CDE (เหตุการณ์การปล่อยสายเคเบิล) และ EFT (กระแสไฟฟ้า Fast Transients) พวกเขาเคยเป็นไปตามข้อกำหนดด้านภูมิคุ้มกัน ESD ของ IEC 61000-4-2, ระดับ 4 (± 15kV Air, ± 8kV สัมผัสการสัมผัส)

ซีรี่ส์ ESD3304 ได้รับการออกแบบมาเพื่อป้องกันส่วนประกอบที่ไวต่อแรงดันไฟฟ้าจาก ESD และเหตุการณ์แรงดันไฟฟ้าชั่วคราว ความสามารถในการหนีบที่ยอดเยี่ยมการรั่วไหลต่ำและเวลาตอบสนองที่รวดเร็วทำให้ชิ้นส่วนเหล่านี้เหมาะสำหรับการป้องกัน ESD ในการออกแบบที่พื้นที่บอร์ดอยู่ในระดับพรีเมี่ยม

ESD1065P มีความจุทั่วไปเพียง 0.25pF ระหว่างหมุด I/O สิ่งนี้จะช่วยให้สามารถใช้กับวงจรที่ทำงานได้เกิน 4GHz โดยไม่มีการลดทอนสัญญาณ พวกเขาได้รับการออกแบบมาโดยเฉพาะเพื่อปกป้องส่วนประกอบที่ละเอียดอ่อนซึ่งเชื่อมต่อกับข้อมูลความเร็วสูงและสายส่งจากแรงดันไฟฟ้าเกินที่เกิดจาก ESD (การปล่อยไฟฟ้าสถิต), CDE (เหตุการณ์การปล่อยสายเคเบิล) และ EFT (กระแสไฟฟ้า Fast Transients) พวกเขาเคยเป็นไปตามข้อกำหนดด้านภูมิคุ้มกัน ESD ของ IEC 61000-4-2, ระดับ 4 (± 15kV Air, ± 8kV สัมผัสการสัมผัส)