DFN ESD 다이오드

ESD0524p는 I/O 핀 사이에 전형적인 커패시턴스 만 0.35pf입니다. 이를 통해 신호 감쇠없이 4GHz를 초과하는 회로에서 사용할 수 있습니다. 이들은 ESD (정전기 방전), CDE (케이블 배출 이벤트) 및 EFT (전기 빠른 과도)로 인한 과전압으로부터 고속 데이터 및 전송 라인에 연결된 민감한 구성 요소를 보호하도록 특별히 설계되었습니다. 그들은 IEC 61000-4-2, 레벨 4 (± 15kV 공기, ± 8kV 접촉 배출)의 ESD 면역 요구 사항을 충족했습니다.

ESD3304 시리즈는 ESD 및 과도 전압 이벤트로부터 전압에 민감한 구성 요소를 보호하도록 설계되었습니다. 우수한 클램핑 기능, 낮은 누출 및 빠른 응답 시간은 이러한 부품이 보드 공간이 프리미엄 인 설계에 대한 ESD 보호에 이상적입니다.

ESD1065p는 I/O 핀 사이에 0.25pf의 전형적인 커패시턴스를 갖습니다. 이를 통해 신호 감쇠없이 4GHz를 초과하는 회로에서 사용할 수 있습니다. 이들은 ESD (정전기 방전), CDE (케이블 배출 이벤트) 및 EFT (전기 빠른 과도)로 인한 과전압으로부터 고속 데이터 및 전송 라인에 연결된 민감한 구성 요소를 보호하도록 특별히 설계되었습니다. 그들은 IEC 61000-4-2, 레벨 4 (± 15kV 공기, ± 8kV 접촉 배출)의 ESD 면역 요구 사항을 충족했습니다.