SOD-123FL 1A-Serie Schottky Diode

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SOD-123FL 1A-Serie Schottky Diode

Paketname: SOD-123FL
Metall Silicon Junction, Mehrheitsträgerleitung
Für oberflächenmontierte Anwendungen
Niedriger Stromverlust, hohe Effizienz
Hohe Vorwärtsschubstromfähigkeit
Zur Verwendung in niedrigen Spannung, Hochfrequenzwechselrückern, freien Wheeling und Polaritätsschutzanwendungen

Verfügbarkeit:

Menge:



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Geeignet für niedrige Spannung, Hochfrequenzberichtung sowie Freilauf- und Polaritätsschutzdioden in einer Vielzahl von Oberflächenmontageanwendungen.

Terminals: Lötlich pro Mil-STD-750, Methode 2026

※ Haftungsausschluss

Benutzer sollten die tatsächliche Geräteleistung in ihren spezifischen Anwendungen überprüfen.

Die Spezifikationen können sich ohne vorherige Ankündigung ändern.

Die Geräteeigenschaften und Parameter in diesem Datenblatt können in verschiedenen Anwendungen variieren und die tatsächliche Geräteleistung kann im Laufe der Zeit variieren.

Heiße Tags: DS12-DS120 SOD123FL Schottky Barrier Diode, China, Hersteller, Fabrik, Preis, Bis 277 Schottky Diode, Schottky Gleichrichter, SMC Schottky Diode, SMD Schottky Barrier Diode, SMC Schottky Gleichrichter, Schottky Barrier Gleichrichter

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USB -Schnittstelle

Parameter	Symbole	DS12	DS14	DS16	DS18	DS110	DS112	DS115	DS120	Einheiten
Maximale sich wiederholende Spitzenspannungsspannung	Vrrm	20	40	60	80	100	120	150	200	V
Maximale RMS -Spannung	VRMs	14	28	42	56	70	84	105	140	V
Maximale DC -Blockierungsspannung	VOC	20	40	60	80	100	120	150	200	V
Maximal durchschnittlicher Vorwärtsgerichtungsstrom	If (av)	1								A
Peak-Vorwärtsschubstrom, 8,3 ms Einzelhälfte-Sinuswellen überlagert bei der Nennlast (JEDEC-Methode)	IFSM	25								A
Maximale vorwärtsspannung bei 1 a	Vf	0.55		0.70		0.85		0.90		V
Maximaler DC -Rückwärtsstrom Ta = 25 ℃ Bei bewertetem DC Reverse Spannung Ta = 100 ℃	lk	0.3 10				0.2 5		0.1 2		ma
Typische Übergangskapazität als	C	110		80						Pf
Typischer thermischer Widerstand²	Reja	100								℃/w
Temperaturbereich des Betriebsübergangs	Tj	-55 ～+125								℃
Lagertemperaturbereich	TSTG	-55 ～+150								℃

Parameter	Symbole	DS12	DS14	DS16	DS18	DS110	DS112	DS115	DS120	Einheiten
Maximale sich wiederholende Spitzenspannungsspannung	Vrrm	20	40	60	80	100	120	150	200	V
Maximale RMS -Spannung	VRMs	14	28	42	56	70	84	105	140	V
Maximale DC -Blockierungsspannung	VOC	20	40	60	80	100	120	150	200	V
Maximal durchschnittlicher Vorwärtsgerichtungsstrom	If (av)	1								A
Peak-Vorwärtsschubstrom, 8,3 ms Einzelhälfte-Sinuswellen überlagert bei der Nennlast (JEDEC-Methode)	IFSM	25								A
Maximale vorwärtsspannung bei 1 a	Vf	0.55		0.70		0.85		0.90		V
Maximaler DC -Rückwärtsstrom Ta = 25 ℃ Bei bewertetem DC Reverse Spannung Ta = 100 ℃	lk	0.3 10				0.2 5		0.1 2		ma
Typische Übergangskapazität als	C	110		80						Pf
Typischer thermischer Widerstand²	Reja	100								℃/w
Temperaturbereich des Betriebsübergangs	Tj	-55 ～+125								℃
Lagertemperaturbereich	TSTG	-55 ～+150								℃

Name	Vrrm v	Vrrs v	Vdc v	If (av) a	IFSM a	Vf * v	Ir (ma) 25 ℃	Ir (ma) 100 ℃	Rθjl* ℃/w	Tj ℃	Tstg ℃
DS12	20	14	20	1	25	0.55	0.3	10	110	100	-55 ℃ ~ ﹢ 125 ℃
DS14	40	28	40	1	25	0.55	0.3	10	110	100	-55 ℃ ~ ﹢ 125 ℃
DS16	60	42	60	1	25	0.7	0.3	10	80	100	-55 ℃ ~ ﹢ 125 ℃
DS18	80	56	80	1	25	0.7	0.3	10	110	100	-55 ℃ ~ ﹢ 125 ℃
DS110	100	70	100	1	25	0.85	0.2	5	80	100	-55 ℃ ~ ﹢ 125 ℃
DS112	120	84	120	1	25	0.85	0.2	5	80	100	-55 ℃ ~ ﹢ 125 ℃
DS115	150	105	150	1	25	0.9	0.1	2	80	100	-55 ℃ ~ ﹢ 125 ℃
DS120	200	140	200	1	25	0.9	0.1	2	80	100	-55 ℃ ~ ﹢ 125 ℃

Name	Vrrm v	Vrrs v	Vdc v	If (av) a	IFSM a	Vf * v	Ir (ma) 25 ℃	Ir (ma) 100 ℃	Rθjl* ℃/w	Tj ℃	Tstg ℃
DS12	20	14	20	1	25	0.55	0.3	10	110	100	-55 ℃ ~ ﹢ 125 ℃
DS14	40	28	40	1	25	0.55	0.3	10	110	100	-55 ℃ ~ ﹢ 125 ℃
DS16	60	42	60	1	25	0.7	0.3	10	80	100	-55 ℃ ~ ﹢ 125 ℃
DS18	80	56	80	1	25	0.7	0.3	10	110	100	-55 ℃ ~ ﹢ 125 ℃
DS110	100	70	100	1	25	0.85	0.2	5	80	100	-55 ℃ ~ ﹢ 125 ℃
DS112	120	84	120	1	25	0.85	0.2	5	80	100	-55 ℃ ~ ﹢ 125 ℃
DS115	150	105	150	1	25	0.9	0.1	2	80	100	-55 ℃ ~ ﹢ 125 ℃
DS120	200	140	200	1	25	0.9	0.1	2	80	100	-55 ℃ ~ ﹢ 125 ℃

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