SOD-123FL 1A Series Schottky Diode

Yint sa bahay » Mga produkto » Power diode » Schottky diode » SOD-123FL Series » SOD-123fl 1A Series Schottky Diode

Ibahagi sa:

SOD-123FL 1A Series Schottky Diode

Pangalan ng Package ： SOD-123FL
Metal Silicon Junction, Majority Carrier Conduction
Para sa mga naka -mount na aplikasyon sa ibabaw
Mababang pagkawala ng kuryente, mataas na kahusayan
Mataas na pasulong na pagsulong ng kasalukuyang kakayahan
Para sa paggamit sa mababang boltahe, mataas na dalas ng mga inverters, libreng wheeling, at mga aplikasyon ng proteksyon ng polaridad

Availability:

Dami:



Magtanong Idagdag sa basket

Angkop para sa mababang boltahe, mataas na dalas na pagwawasto pati na rin ang freewheeling at polarity protection diode sa iba't ibang mga aplikasyon ng ibabaw ng ibabaw.

Mga Terminal: Ibinebenta sa bawat MIL-STD-750, Paraan 2026

※ Pagtanggi

Dapat i -verify ng mga gumagamit ang aktwal na pagganap ng aparato sa kanilang mga tukoy na aplikasyon.

Ang mga pagtutukoy ay napapailalim sa pagbabago nang walang abiso.

Ang mga katangian ng aparato at mga parameter sa sheet ng data na ito ay maaaring at mag -iba sa iba't ibang mga aplikasyon at aktwal na pagganap ng aparato ay maaaring mag -iba sa paglipas ng panahon.

Mainit na tag: DS12-DS120 SOD123FL Schottky Barrier Diode, China, Tagagawa, Pabrika, Presyo, Sa 277 Schottky diode, Schottky Rectifier, SMC Schottky Diode, SMD Schottky Barrier Diode, SMC Schottky Rectifier, Schottky Barrier Rectifier

Nakaraan:

Susunod:

Kategorya ng produkto

Mabilis na mga link

Makipag -ugnay sa amin

Solusyon

Automotive System

Pang -industriya na instrumento

USB interface

Parameter	Mga Simbolo	DS12	DS14	DS16	DS18	DS110	DS112	DS115	DS120	Mga yunit
Pinakamataas na paulit -ulit na peak reverse boltahe	Vrrm	20	40	60	80	100	120	150	200	V
Pinakamataas na boltahe ng RMS	VRMS	14	28	42	56	70	84	105	140	V
Pinakamataas na boltahe ng pagharang ng DC	Voc	20	40	60	80	100	120	150	200	V
Pinakamataas na average na pasulong na naayos na kasalukuyang	Kung (av)	1								A
Peak Forward Surge Kasalukuyang, 8.3ms solong kalahating sine-wave na superimposed sa rated load (JEDEC na pamamaraan)	IFSM	25								A
Max instant Forward boltahe sa 1 a	Vf	0.55		0.70		0.85		0.90		V
Pinakamataas na DC Reverse Kasalukuyang Ta = 25 ℃ sa Rated DC Reverse Voltage TA = 100 ℃	Lk	0.3 10				0.2 5		0.1 2		Ma
Karaniwang junction capacitance¹	C	110		80						Pf
Karaniwang thermal resistance²	Reja	100								℃/w
Operating saklaw ng temperatura ng junction	TJ	-55 ～+125								℃
Saklaw ng temperatura ng imbakan	TSTG	-55 ～+150								℃

Parameter	Mga Simbolo	DS12	DS14	DS16	DS18	DS110	DS112	DS115	DS120	Mga yunit
Pinakamataas na paulit -ulit na peak reverse boltahe	Vrrm	20	40	60	80	100	120	150	200	V
Pinakamataas na boltahe ng RMS	VRMS	14	28	42	56	70	84	105	140	V
Pinakamataas na boltahe ng pagharang ng DC	Voc	20	40	60	80	100	120	150	200	V
Pinakamataas na average na pasulong na naayos na kasalukuyang	Kung (av)	1								A
Peak Forward Surge Kasalukuyang, 8.3ms solong kalahating sine-wave na superimposed sa rated load (JEDEC na pamamaraan)	IFSM	25								A
Max instant Forward boltahe sa 1 a	Vf	0.55		0.70		0.85		0.90		V
Pinakamataas na DC Reverse Kasalukuyang Ta = 25 ℃ sa Rated DC Reverse Voltage TA = 100 ℃	Lk	0.3 10				0.2 5		0.1 2		Ma
Karaniwang junction capacitance¹	C	110		80						Pf
Karaniwang thermal resistance²	Reja	100								℃/w
Operating saklaw ng temperatura ng junction	TJ	-55 ～+125								℃
Saklaw ng temperatura ng imbakan	TSTG	-55 ～+150								℃

Pangalan	Vrrm v	Vrrs v	Vdc v	Kung (av) a	IFSM a	Vf * v	IR (MA) 25 ℃	IR (MA) 100 ℃	Rθjl* ℃/w	TJ ℃	TSTG ℃
DS12	20	14	20	1	25	0.55	0.3	10	110	100	-55 ℃ ~ ﹢ 125 ℃
DS14	40	28	40	1	25	0.55	0.3	10	110	100	-55 ℃ ~ ﹢ 125 ℃
DS16	60	42	60	1	25	0.7	0.3	10	80	100	-55 ℃ ~ ﹢ 125 ℃
DS18	80	56	80	1	25	0.7	0.3	10	110	100	-55 ℃ ~ ﹢ 125 ℃
DS110	100	70	100	1	25	0.85	0.2	5	80	100	-55 ℃ ~ ﹢ 125 ℃
DS112	120	84	120	1	25	0.85	0.2	5	80	100	-55 ℃ ~ ﹢ 125 ℃
DS115	150	105	150	1	25	0.9	0.1	2	80	100	-55 ℃ ~ ﹢ 125 ℃
DS120	200	140	200	1	25	0.9	0.1	2	80	100	-55 ℃ ~ ﹢ 125 ℃

Pangalan	Vrrm v	Vrrs v	Vdc v	Kung (av) a	IFSM a	Vf * v	IR (MA) 25 ℃	IR (MA) 100 ℃	Rθjl* ℃/w	TJ ℃	TSTG ℃
DS12	20	14	20	1	25	0.55	0.3	10	110	100	-55 ℃ ~ ﹢ 125 ℃
DS14	40	28	40	1	25	0.55	0.3	10	110	100	-55 ℃ ~ ﹢ 125 ℃
DS16	60	42	60	1	25	0.7	0.3	10	80	100	-55 ℃ ~ ﹢ 125 ℃
DS18	80	56	80	1	25	0.7	0.3	10	110	100	-55 ℃ ~ ﹢ 125 ℃
DS110	100	70	100	1	25	0.85	0.2	5	80	100	-55 ℃ ~ ﹢ 125 ℃
DS112	120	84	120	1	25	0.85	0.2	5	80	100	-55 ℃ ~ ﹢ 125 ℃
DS115	150	105	150	1	25	0.9	0.1	2	80	100	-55 ℃ ~ ﹢ 125 ℃
DS120	200	140	200	1	25	0.9	0.1	2	80	100	-55 ℃ ~ ﹢ 125 ℃

SOD-123FL 1A Series Schottky Diode

Kategorya ng produkto

Mabilis na mga link

Solusyon

Kaugnay na balita

Ang aming mga produkto

Tungkol sa amin

Marami pang mga link

Makipag -ugnay sa amin

Mga social network