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Beschreibung Ionenimplantation von Siliziumkarbid ist eine Technik, mit der spezifische Verunreinigungsatome in Siliziumkohlenhydrate eingeführt werden können
JEDEC benötigt maximal 30 kV, da dies eine übliche Spannungsgrenze für elektrostatische Entladung (ESD) ist. ESD ist eine Elektrik
