Vistas: 0 Autor: El editor de sitios Publicar Tiempo: 2020-10-05 Origen: Sitio
Pocas cantidades físicas se miden con tanta frecuencia como la temperatura; Hay varias posibilidades para medir la temperatura por infrarrojo. Además de los termómetros tradicionales, los pirómetros (también conocidos como termómetros láser o infrarrojos) se han validado efectivamente como instrumentos de medición de temperatura. Se usa ampliamente en la medición de la temperatura de la superficie de varios objetos, como la fundición de acero, la temperatura del horno, las piezas de la máquina, la temperatura de vidrio y la ambiente, la temperatura corporal, etc. Para escenarios de aplicación especiales, tenemos productos intensivos para cooperar con tales productos para satisfacer diversas necesidades.
● Ayuda a reducir la interferencia de las pruebas, mejorar la estabilidad y mejorar el rendimiento de EMC del producto
● Mejorar el rendimiento de ASSP similar al chip MLX90614
● Reúnase IEC 61000-4-2 (ESD） Descarga de aire: ± 15kV Descarga de contacto: ± 8kV
● IEC61000-4-4 (EFT) 40A (5/50NS)
● IEC61000-4-5 (Lightning) 12A (8/20 μs)
| Plan | VDD externo Fuente de alimentación | Sobrecorriente circuito de prevención PPTC | ESD Modelo No. | Formulario de paquete |
| Plan 1 | 3.3V | SMD0603-020 | ESDSR05 ＊ Caso: JEDEC SOT-143 |  |
| 5.0v | SMD0603-020 | |||
| Plan 2 | 3.3V | SMD0603-020 | ESDLC5V0D3B ＊ Caso: SOD-323 D1/D2/D3 |  |
| 5.0v | SMD0603-020 | ESDLC5V0D3B ＊ Caso: SOD-323 D1/D2/D3 |  | |
| 12V | SMD1206-020 | ESDLC12V0D3B ＊ Caso: SOD-323 D1/D2/D3 |  |
＊ Tenemos una variedad de opciones de embalaje para elegir, como ： SOD523/SOD-923/DFN1006
● La necesidad de protección contra sobrecorriente: durante el proceso de uso normal de equipos y baterías externas o reemplazo de la fuente de alimentación, es fácil generar corrientes máximas, lo cual es fatal para los dispositivos de adquisición de A / D de chip infrarrojos; También es un diseño clave, diseño interno del diodo Zener de detección infrarroja, cuando la unión PN del diodo está cortocircuitada, la batería estará cortocircuitada; ¡En la industria petroquímica, causará un incendio y causará mayores pérdidas!
● La necesidad de protección electrostática ESD: el entorno en el que se usan dichos productos es muy dura, principalmente debido al voltaje de pulso ancho instantáneo generado por la transferencia electrostática del cuerpo humano; Y en escenarios operativos especiales, el impacto ambiental es aún más incontrolable.
● Los dispositivos de protección se utilizan ampliamente en automóviles y productos industriales con alto rendimiento.
● Volumen intensivo del dispositivo, tipo SMT
● Capacitancia parasitaria baja
● Material de ROHS
ESDSR05:
| Parámetro | Símbolo | Condiciones | Mínimo | Típ. | Max. | Unidades |
| Voltaje de separación inversa | VRWM | 5 | V | |||
| Voltaje de desglose inverso | VBR | IT = 1MA | 6 | V | ||
| Corriente de fuga inversa | IR | Vrwm = 5.0v, t = 25 ℃ | 5 | μA | ||
| Tensión de sujeción | VC | IPP = 1A, TP = 8/20 μs | 9.8 | V | ||
| Tensión de sujeción | VC | IPP = 10a, TP = 8/20 μs | 12 | V | ||
| Capacitancia de unión | CJ | VR = 0V, F = 1MHz | 0.7 | 2.5 | PF |
ESDLC5V0D3B:
| Parámetro | Símbolo | Condiciones | Mínimo | Típ. | Max. | Unidades |
| Voltaje de separación inversa | VRWM | 6 | 5 | V | ||
| Voltaje de desglose inverso | VBR | IT = 1MA | V | |||
| Corriente de fuga inversa | IR | VR = VRWM | 5 | μA | ||
| Tensión de sujeción | VC | IPP = 1A, TP = 8/20 μs | 9.8 | V | ||
| Tensión de sujeción | VC | IPP = 14a, TP = 8/20 μs | 25 | V | ||
| Capacitancia de unión | CJ | VR = 0V, F = 1MHz | 1 | PF |
