 |
| Määrä: | |
|---|---|
MOSFET, metalli-oksidi-emiconductor-kenttävaikutustransistori on eräänlainen kenttävaikutustransistori (FET), joka on yleisimmin valmistettu piin kontrolloidulla hapettumisella. Siinä on eristetty portti, jonka jännite määrittää laitteen johtavuuden. Tätä kykyä muuttaa johtavuutta sovelletun jännitteen määrällä voidaan käyttää elektronisten signaalien vahvistamiseen tai kytkemiseen. Metalli-eristäjä-puolijohde-kenttävaikutustransistori (MIS-FET) on termi, joka on melkein synonyymi MOSFET: lle. Toinen synonyymi on IGFET eristetylle portti-kenttätransistorille.
MOSFET on ylivoimaisesti yleisin transistori digitaalisissa piireissä, koska miljardeja voidaan sisällyttää muistisiruun tai mikroprosessoriin. Koska MOSFET: t voidaan valmistaa joko P-tyypin tai N-tyypin puolijohdeilla, MOS-transistorien komplementaarisia pareja voidaan käyttää kytkentäpiireihin, joilla on erittäin pieni virrankulutus, CMOS-logiikan muodossa.
Shanghai Yint Electronic Co., Ltd, yksi Kiinan tärkeimmistä valmistajista, yli kymmenen vuoden kokemukset MOSFET: n tuottamisesta ja toimitti tuotteemme tuhansille kumppaneille. Tuotteemme kattavat myös TVS -diodin, PPTC: n, ESD: n, SBR: n, MOV: n, NTC: n, TSS: n, GDT: n, Power Inductors, Wafer jne.
Kuumat tunnisteet: HLP110N06X HLP3205, Kiina, valmistajat, tehdas, hinta,
MOSFET, metalli-oksidi-emiconductor-kenttävaikutustransistori on eräänlainen kenttävaikutustransistori (FET), joka on yleisimmin valmistettu piin kontrolloidulla hapettumisella. Siinä on eristetty portti, jonka jännite määrittää laitteen johtavuuden. Tätä kykyä muuttaa johtavuutta sovelletun jännitteen määrällä voidaan käyttää elektronisten signaalien vahvistamiseen tai kytkemiseen. Metalli-eristäjä-puolijohde-kenttävaikutustransistori (MIS-FET) on termi, joka on melkein synonyymi MOSFET: lle. Toinen synonyymi on IGFET eristetylle portti-kenttätransistorille.
MOSFET on ylivoimaisesti yleisin transistori digitaalisissa piireissä, koska miljardeja voidaan sisällyttää muistisiruun tai mikroprosessoriin. Koska MOSFET: t voidaan valmistaa joko P-tyypin tai N-tyypin puolijohdeilla, MOS-transistorien komplementaarisia pareja voidaan käyttää kytkentäpiireihin, joilla on erittäin pieni virrankulutus, CMOS-logiikan muodossa.
Shanghai Yint Electronic Co., Ltd, yksi Kiinan tärkeimmistä valmistajista, yli kymmenen vuoden kokemukset MOSFET: n tuottamisesta ja toimitti tuotteemme tuhansille kumppaneille. Tuotteemme kattavat myös TVS -diodin, PPTC: n, ESD: n, SBR: n, MOV: n, NTC: n, TSS: n, GDT: n, Power Inductors, Wafer jne.
Kuumat tunnisteet: HLP110N06X HLP3205, Kiina, valmistajat, tehdas, hinta,
