HLP110N06X HLP3205
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HLP110N06X HLP3205

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MOSFET, il transistor metallo-ossido-semiconduttore-campo è un tipo di transistor a effetto campo (FET), più comunemente fabbricato dall'ossidazione controllata del silicio. Ha un cancello isolato, la cui tensione determina la conduttività del dispositivo. Questa capacità di cambiare conducibilità con la quantità di tensione applicata può essere utilizzata per amplificare o cambiare segnali elettronici. Un transistor ad effetto di campo in metallo-isolante-semiconduttore (MISFET) è un termine quasi sinonimo di MOSFET. Un altro sinonimo è IGFET per transistor a effetto campo isolato-gate.


Il MOSFET è di gran lunga il transistor più comune nei circuiti digitali, poiché miliardi possono essere inclusi in un chip di memoria o in un microprocessore. Poiché i MOSFET possono essere realizzati con semiconduttori di tipo P o N, possono essere utilizzate coppie complementari di transistor MOS per realizzare circuiti di commutazione con un consumo di energia molto basso, sotto forma di logica CMOS.


Shanghai Yint Electronic Co., Ltd, uno dei principali produttori in Cina, più di dieci anni esperienze nella produzione di MOSFET e hanno fornito i nostri prodotti a migliaia di partner. I nostri prodotti coprono anche diodo TVS, PPTC, ESD, SBR, MOV, NTC, TSS, GDT, induttori di potenza, wafer, ecc.



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