 |
| Dami: | |
|---|---|
Mga pagtutukoy
Tatak: Yint
Min. Order: 1 piraso
Sertipikasyon: Rohs
Packaging: Sa reel
Bypass diode para sa mga solar panel
Pinakamataas na Temperatura ng Junction 200 ℃
Mataas na thermal reliablity
Patented Super Barrier Rectifier Technology
Mataas na kakayahan sa pagsulong
Ultra mababang pagkawala ng kuryente, mataas na kahusayan
Napakahusay na mataas na katatagan ng temperatura
Pinakamataas na mga rating at mga de -koryenteng katangian (TA = 25 ℃ maliban kung nabanggit)
Single phase, kalahating alon, 60Hz, resistive o inductive load.
Para sa capacitive load, derate kasalukuyang sa pamamagitan ng 20%
| Simbolo | Parameter | Halaga | Unit |
| V rrm | Peak paulit -ulit na reverse boltahe | 45 | V |
| V rwm | Paggawa ng peak reverse boltahe | ||
| V r | DC Blocking Voltage | ||
| V R (RMS) | RMS reverse boltahe | 32 | V |
| I o | Average na naayos na output kasalukuyang (tala1)@tl = 90 ℃ | 10.0 | A |
| I FSM | Non-Repetitive Peak Forward Surge Kasalukuyang @ t = 8.3ms Single Half Sine-Wave Superimposed sa Rated Load (JEDEC Paraan) @ tl = 75 ℃ | 275 | A |
| V FM | Forword boltahe drop @kung = 8a, tj = 25 ℃ @kung = 10a, tj = 25 ℃ @kung = 10a, tj = 125 ℃ | 0.42 0.47 0.41 | V |
| I rm | Rurok reverse curren @vf = 45v, tj = 25 ℃ sa rated dc blocking boltahe @vf = 45v, tj = 100 ℃ @vf = 45v, tj = 150 ℃ | 0.3 15 75 | Ma |
| P braso | Paulit -ulit na peak avalanche power (1us, 25 ℃) | 30000 | W |
| R θja | Karaniwang Thermal Resistance Junction sa Ambient (Note2) (Note3) | 73 31 | ℃/w |
| T j | Saklaw ng temperatura ng Operting @VR≤80% VRRM @vr≤50% VRRM DC Forward Mode | -65 ~+150 ≤180 ≤200 | ℃ |
| T stg | Temperatura ng imbakan | -65 ~+150 | ℃ |
Tandaan:
1.Valid na ibinigay na ang mga lead ay pinananatili sa nakapaligid na temperatura sa layo na 9.5mm mula sa kaso
2.FR-4 PCB, 2oz.copper, minimum na inirekumendang layout ng pad
3.Polymide PCB, 2oz.copper.Cathode Pad Dimensions 18.8mm*14.4mm.anode PAD Dimensyon 5.6mm*14.4mm
※ Pagtanggi
Dapat i -verify ng mga gumagamit ang aktwal na pagganap ng aparato sa kanilang mga tukoy na aplikasyon.
Ang mga pagtutukoy ay napapailalim sa pagbabago nang walang abiso.
Ang mga katangian ng aparato at mga parameter sa sheet ng data na ito ay maaaring at mag -iba sa iba't ibang mga aplikasyon at aktwal na pagganap ng aparato ay maaaring mag -iba sa paglipas ng panahon.
Mainit na tag: Yint1045 TO-277 Schottky Diode, China, Tagagawa, Pabrika, Presyo, SMC Schottky Rectifier, Schottky Rectifier, SMD Schottky Barrier Diode, SMC Schottky Diode, Schottky barrier diode, Schottky Rectifier
Mga pagtutukoy
Tatak: Yint
Min. Order: 1 piraso
Sertipikasyon: Rohs
Packaging: Sa reel
Bypass diode para sa mga solar panel
Pinakamataas na Temperatura ng Junction 200 ℃
Mataas na thermal reliablity
Patented Super Barrier Rectifier Technology
Mataas na kakayahan sa pagsulong
Ultra mababang pagkawala ng kuryente, mataas na kahusayan
Napakahusay na mataas na katatagan ng temperatura
Pinakamataas na mga rating at mga de -koryenteng katangian (TA = 25 ℃ maliban kung nabanggit)
Single phase, kalahating alon, 60Hz, resistive o inductive load.
Para sa capacitive load, derate kasalukuyang sa pamamagitan ng 20%
| Simbolo | Parameter | Halaga | Unit |
| V rrm | Peak paulit -ulit na reverse boltahe | 45 | V |
| V rwm | Paggawa ng peak reverse boltahe | ||
| V r | DC Blocking Voltage | ||
| V R (RMS) | RMS reverse boltahe | 32 | V |
| I o | Average na naayos na output kasalukuyang (tala1)@tl = 90 ℃ | 10.0 | A |
| I FSM | Non-Repetitive Peak Forward Surge Kasalukuyang @ t = 8.3ms Single Half Sine-Wave Superimposed sa Rated Load (JEDEC Paraan) @ tl = 75 ℃ | 275 | A |
| V FM | Forword boltahe drop @kung = 8a, tj = 25 ℃ @kung = 10a, tj = 25 ℃ @kung = 10a, tj = 125 ℃ | 0.42 0.47 0.41 | V |
| I rm | Rurok reverse curren @vf = 45v, tj = 25 ℃ sa rated dc blocking boltahe @vf = 45v, tj = 100 ℃ @vf = 45v, tj = 150 ℃ | 0.3 15 75 | Ma |
| P braso | Paulit -ulit na peak avalanche power (1us, 25 ℃) | 30000 | W |
| R θja | Karaniwang Thermal Resistance Junction sa Ambient (Note2) (Note3) | 73 31 | ℃/w |
| T j | Saklaw ng temperatura ng Operting @VR≤80% VRRM @vr≤50% VRRM DC Forward Mode | -65 ~+150 ≤180 ≤200 | ℃ |
| T stg | Temperatura ng imbakan | -65 ~+150 | ℃ |
Tandaan:
1.Valid na ibinigay na ang mga lead ay pinananatili sa nakapaligid na temperatura sa layo na 9.5mm mula sa kaso
2.FR-4 PCB, 2oz.copper, minimum na inirekumendang layout ng pad
3.Polymide PCB, 2oz.copper.Cathode Pad Dimensions 18.8mm*14.4mm.anode PAD Dimensyon 5.6mm*14.4mm
※ Pagtanggi
Dapat i -verify ng mga gumagamit ang aktwal na pagganap ng aparato sa kanilang mga tukoy na aplikasyon.
Ang mga pagtutukoy ay napapailalim sa pagbabago nang walang abiso.
Ang mga katangian ng aparato at mga parameter sa sheet ng data na ito ay maaaring at mag -iba sa iba't ibang mga aplikasyon at aktwal na pagganap ng aparato ay maaaring mag -iba sa paglipas ng panahon.
Mainit na tag: Yint1045 TO-277 Schottky Diode, China, Tagagawa, Pabrika, Presyo, SMC Schottky Rectifier, Schottky Rectifier, SMD Schottky Barrier Diode, SMC Schottky Diode, Schottky barrier diode, Schottky Rectifier
