Un raddrizzatore di barriere Schottky è un dispositivo di semiconduttore metallico fabbricato utilizzando una proprietà rettificante di una barriera formata su una superficie di contatto a semiconduttore in metallo. Questo dispositivo è adatto per sistemi compatti e di dimensioni ridotte. Tipico per convertitori AC-DC e DC-DC, protezione della polarità della batteria, 'oring' multipla e altri sistemi di dimensioni ridotte.
Tecnologia brevettata per raddrizzatore a barriera super
Elevata capacità di sovratensione in avanti
Perdita di potenza ultra bassa, alta efficienza
Eccellente stabilità ad alta temperatura
Valutazioni massime e caratteristiche elettriche (TA = 25 ℃ se non diversamente indicato)
Carico monofase, mezza onda, 60Hz, carico resistivo o induttivo.
Per il carico capacitivo, disordina la corrente del 20%
Simbolo
Parametro
Valore
Unità
V rrm
Tensione inversa ripetitiva di picco
45
V
V rwm
Tensione inversa del picco funzionante
V r
Tensione di blocco DC
V R (RMS)
Tensione inversa RMS
32
V
I o
Corrente di uscita rettificata media (Note1)@TL = 90 ℃
10.0
UN
I FSM
Corrente di aumento in avanti di picco non ripetitive @ T = 8,3ms a metà onde sinusoidale sovrapposta al carico nominale (metodo JEDEC) @ TL = 75 ℃
275
UN
V fm
Forza di tensione per parola drop @if = 8a, tj = 25 ℃ @if = 10a, tj = 25 ℃ @if = 10a, tj = 125 ℃
0.42 0.47 0.41
V
I rm
Picco inverso Curren @VF = 45V, TJ = 25 ℃ A Tensione di blocco CC nominale @VF = 45V, TJ = 100 ℃ @VF = 45V, TJ = 150 ℃
0.3 15 75
Ma
P braccio
Potenza di valanga di picco ripetitivo (1US, 25 ℃)
30000
W
R θja
Tipica giunzione di resistenza termica a Ambient (Note2) (Note3)
73 31
℃/w
T j
Intervallo di temperatura operativo @vr≤80% vrrm @vr≤50% VRRM DC Modalità
-65 ~+150 ≤180 ≤200
℃
T stg
Temperatura di conservazione
-65 ~+150
℃
Nota:
1. Valido a condizione che i cavi siano mantenuti a temperatura ambiente a una distanza di 9,5 mm dal caso
2.FR-4 PCB, 2oz.copper, layout del pad consigliato minimo
3.Polimide PCB, 2oz.copper.Cathode Dimensions 18,8 mm*14.4mm.M.M.Node Dimensions 5,6 mm*14,4 mm
※ Disclaimer
Gli utenti dovrebbero verificare le prestazioni effettive del dispositivo nelle loro applicazioni specifiche.
Le specifiche sono soggette a modifiche senza preavviso.
Le caratteristiche e i parametri del dispositivo in questa scheda tecnica possono e variano in diverse applicazioni e le prestazioni effettive del dispositivo possono variare nel tempo.
Tecnologia brevettata per raddrizzatore a barriera super
Elevata capacità di sovratensione in avanti
Perdita di potenza ultra bassa, alta efficienza
Eccellente stabilità ad alta temperatura
Valutazioni massime e caratteristiche elettriche (TA = 25 ℃ se non diversamente indicato)
Carico monofase, mezza onda, 60Hz, carico resistivo o induttivo.
Per il carico capacitivo, disordina la corrente del 20%
Simbolo
Parametro
Valore
Unità
V rrm
Tensione inversa ripetitiva di picco
45
V
V rwm
Tensione inversa del picco funzionante
V r
Tensione di blocco DC
V R (RMS)
Tensione inversa RMS
32
V
I o
Corrente di uscita rettificata media (Note1)@TL = 90 ℃
10.0
UN
I FSM
Corrente di aumento in avanti di picco non ripetitive @ T = 8,3ms a metà onde sinusoidale sovrapposta al carico nominale (metodo JEDEC) @ TL = 75 ℃
275
UN
V fm
Forza di tensione per parola drop @if = 8a, tj = 25 ℃ @if = 10a, tj = 25 ℃ @if = 10a, tj = 125 ℃
0.42 0.47 0.41
V
I rm
Picco inverso Curren @VF = 45V, TJ = 25 ℃ A Tensione di blocco CC nominale @VF = 45V, TJ = 100 ℃ @VF = 45V, TJ = 150 ℃
0.3 15 75
Ma
P braccio
Potenza di valanga di picco ripetitivo (1US, 25 ℃)
30000
W
R θja
Tipica giunzione di resistenza termica a Ambient (Note2) (Note3)
73 31
℃/w
T j
Intervallo di temperatura operativo @vr≤80% vrrm @vr≤50% VRRM DC Modalità
-65 ~+150 ≤180 ≤200
℃
T stg
Temperatura di conservazione
-65 ~+150
℃
Nota:
1. Valido a condizione che i cavi siano mantenuti a temperatura ambiente a una distanza di 9,5 mm dal caso
2.FR-4 PCB, 2oz.copper, layout del pad consigliato minimo
3.Polimide PCB, 2oz.copper.Cathode Dimensions 18,8 mm*14.4mm.M.M.Node Dimensions 5,6 mm*14,4 mm
※ Disclaimer
Gli utenti dovrebbero verificare le prestazioni effettive del dispositivo nelle loro applicazioni specifiche.
Le specifiche sono soggette a modifiche senza preavviso.
Le caratteristiche e i parametri del dispositivo in questa scheda tecnica possono e variano in diverse applicazioni e le prestazioni effettive del dispositivo possono variare nel tempo.